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藍寶石襯底需求爆發 行業拐點顯現

藍寶石襯底將受益于LED照明市場的爆發由于LED照明終端價格的持續下降、全球主要國家白熾燈禁用政策生效以及人們節能環保意識的提升,預計2014年將迎來LED照明市場的繁...

日期 2013-12-05   

LED襯底材料之爭 藍寶石何去何從

被貼上“低碳”“環保”等標簽的LED正在改變我們的生活,市場認知度也越來越高。未來多種襯底材料同臺競爭,其中藍寶石和硅材料市場占有率最高。“藍寶石襯底還是硅襯底?”相信...

日期 2013-11-02   

深度分析藍寶石襯底再度升溫的背后因素

2011年藍寶石襯底掀起投資風波,投資過熱導致產能過剩,藍寶石襯底價格一降再降,不少企業苦不堪言。至2013年5月供過于求的狀況未見明顯改善,也有專家預測LED藍寶石襯...

日期 2013-10-17   

藍寶石襯底再度升溫 相關企業謹慎應對

近期,藍寶石襯底領域動作頻繁,先是不久前美國藍寶石基板供應龍頭RubiconTechnology發布財務季報,第二季度營收增長27.7%;臺灣市場也緊隨其后,晶元光電與...

日期 2013-10-14   

襯底瀕臨流產 代替藍寶石遙遙無期

從當初的信誓旦旦到如今的集體迷茫,硅襯底的產業化道路仍然充滿不確定性,良率、光效以及成本等依舊是當下亟待解決的問題。曾有一段時間,硅曾被業內人士認為是極具市場前景的氮化...

日期 2013-09-03   

專利:藍寶石襯底的超精密加工方法

申請號:201310204706申請人:南京航空航天大學摘要:本發明公開了一種基于固結磨料拋光墊的藍寶石襯底的超精密加工方法,它主要包括粗磨、精磨、拋光三步驟:首先,采...

日期 2013-08-31   

藍寶石襯底產業亟需提高技術力突圍困境

目前看來,全球藍寶石襯底產業取得的進展主要表現在三個方面。首先,藍寶石襯底片大尺寸化趨勢明顯,4英寸片、6英寸片出貨比重不斷提升,部分藍寶石企業已經開始研發和量試8英寸...

日期 2013-08-12   

藍寶石襯底項目獲國家五千萬財政補貼

三安光電7月1日晚間公告,根據安溪縣政府加快培育高新技術新興產業集群的目標要求,促進安溪縣LED光電產業鏈的發展,擬對公司藍寶石襯底項目撥付“科技三項”財政補貼資金50...

日期 2013-07-02   

解析我國藍寶石襯底產能過剩嚴重程度

南京高精傳動設備制造集團有限公司高亮度LED藍寶石襯底項目于2012年10月開工奠基。項目一期固定資產投資10億元,建設規模不少于160臺藍寶石長晶爐,在兩年內達產。水...

日期 2013-05-13   

非LED市場或拯救藍寶石襯底產業

全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門LEDinside發表的《2013年全球藍寶石襯底市場報告》指出,盡管產業價格低迷,但由于許多藍寶石襯底廠商看好2013...

日期 2013-05-07   

藍寶石襯底加工行業或將面臨行業洗牌

日前,一封來自上海施科特光電材料有限公司(以下簡稱“施科特光電”)內部員工的舉報郵件披露,公司目前已經處于資金鏈全面斷裂狀態。此前,公司在河南興...

日期 2013-03-21   

高端手機保護屏或成藍寶石襯底新出路

把藍寶石平片襯底推廣到手機屏保領域,浙江上城科技有限公司(以下簡稱“上城科技”)是第一個吃螃蟹的人。這家由海寧市政府引進的總投資6億元的高新技術...

日期 2013-02-20   

“藍寶石襯底”面臨新技術替換挑戰

在工信部剛剛公布的2012年第十二屆信息產業重大技術發明評選結果中,晶能光電(江西)有限公司《硅襯底氮化鎵基LED材料及大功率芯片技術》項目被評為信息產業重大技術發明,...

日期 2013-01-10   

我國藍寶石襯底項目收到財政補貼資金

三安光電于2012年12月28日收到安溪縣財政局《安溪縣財政局關于撥付三安光電股份有限公司藍寶石襯底項目財政補貼的通知》安財企[2012]399號文件,該文件主要內容為...

日期 2013-01-05   

總投資50億元LED藍寶石襯底項目開工

由南京高精傳動設備制造集團有限公司投資50億元建設的LED藍寶石襯底項目正式簽約落戶包頭青山區,項目達產后可形成年產2500萬片LED藍寶石襯底,實現年銷售收入100億...

日期 2012-11-30   

一種用于藍寶石襯底的研磨液及其制備方法

名稱一種用于藍寶石襯底的研磨液及其制備方法申請號201210101944申請日2012年4月19日公開號102642175A公開日

日期 2012-09-05   

在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法

名稱在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法公開號1369904公開日2002.09.18主分類號H01L21/3

日期 2010-12-24   

碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件

名稱碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件公開號1278949公開日2001.01.03主分類號H0

日期 2010-12-23   

用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體

名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體公開號1224084公開日1999.07.28主分類號C30B

日期 2010-12-23   

碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件

名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件公開號1237272公開日1999.12.01主分類號H01

日期 2010-12-23   
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