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官方微信摘要 名稱碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件公開號1278949公開日2001.01.03主分類號H0
| 名稱 | 碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件 | ||
| 公開號 | 1278949 | 公開日 | 2001.01.03 |
| 主分類號 | H01L33/00 | 分類號 | H01L33/00 |
| 申請號 | 98811065.2 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1998.10.06 | |
| 頒證日 | 優先權 | 1997.10.7 US 08/944,547 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發明人 | J·A·艾德蒙得;孔華雙;K·M·多弗斯派克;M·T·萊昂? | 國際申請 | PCT.US98/21160 1998.10.6 |
| 國際公布 | WO99.18617 英 1999.4.15 | 進入國家日期 | 2000.05.11 |
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 段承恩 |
| 摘要 | 這里公開了一種具有Ⅲ族氮化物有源層的光電子器件，該器件包括：碳化硅襯底；具有Ⅲ族氮化物有源層的光電子二極管；選自由氮化鎵和銦鎵氮構成的組中的緩沖結構，該結構位于所說碳化硅襯底和所說光電子二極管間；及應力吸收結構，包括在所說緩沖結構的晶體結構內的多個預定應力釋放區，以便所說緩沖結構中產生的應力誘發開裂，發生在所說緩沖層內的預定區域，而非其它區域。 | ||
豫公網安備41019702003646號