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日本:多家企業大舉進軍8英寸鍵合碳化硅襯底

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鍵合碳化硅襯底即指通過在低電阻多晶SiC支撐襯底上鍵合一層高質量的單晶SiC薄層,這些產品能夠在保持單晶SiC特...

日期 2024-10-14   

日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術,將顯著提高GaN HEMT性能

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12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導體接口專家會議(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司富士通實驗室公司(FujitsuLaboratoriesLt...

日期 2017-12-22   

碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件

名稱碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的Ⅲ族氮化物光子器件公開號1278949公開日2001.01.03主分類號H0

日期 2010-12-23   

碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件

名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件公開號1237272公開日1999.12.01主分類號H01

日期 2010-12-23   

下游擴張推動藍寶石襯底需求持續走高 爭奪碳化硅襯底市場

據統計,由于大量LED廠商不斷向上游進軍,對MOCVD設備的需求急劇擴大,2011年僅亞太地區的設備采購量就有望突破1000臺,通過傳導作用,全球市場對LED藍寶石襯底...

日期 2010-11-26   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

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