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官方微信摘要 名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件公開(kāi)號(hào)1237272公開(kāi)日1999.12.01主分類號(hào)H01
| 名稱 | 碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件 | ||
| 公開(kāi)號(hào) | 1237272 | 公開(kāi)日 | 1999.12.01 |
| 主分類號(hào) | H01L21/205 | 分類號(hào) | H01L21/205 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 98801243.X | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1998.08.27 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | [32]1997.8.27[33]JP[31]230770/97 | |
| 申請(qǐng)人 | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社 | 地址 | 日本大阪府 |
| 發(fā)明人 | 北∴真; 內(nèi)田正雄; 高橋邦方 | 國(guó)際申請(qǐng) | PCT/JP98/03826 98.8.27 |
| 國(guó)際公布 | WO99/10919 日 99.3.4 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | 1999.04.27 |
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 楊凱; 葉愷東 |
| 摘要 | 在襯底1的碳化硅晶體生長(zhǎng)表面1a中，一邊保持硅原子2相對(duì)于碳原子處于過(guò)剩狀態(tài)，一邊利用MBE法等使碳化硅薄膜進(jìn)行外延生長(zhǎng)。由此，可在低溫下以良好的再現(xiàn)性形成結(jié)晶性良好的碳化硅襯底。即使在1300℃以下的低溫下也能進(jìn)行該生長(zhǎng)，可形成高濃度摻雜膜·選擇生長(zhǎng)膜·在六方晶體上的立方晶體碳化硅的生長(zhǎng)膜。此外，在六方晶體上使立方晶體碳化硅實(shí)現(xiàn)結(jié)晶化時(shí)，進(jìn)而使用向（數(shù)1）方向傾斜的偏移切割襯底對(duì)于防止孿晶的發(fā)生是有效的。 | ||
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