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用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體

關鍵詞硅襯底 , β碳化硅晶體薄膜|2010-12-23 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體公開號1224084公開日1999.07.28主分類號C30B

名稱	用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體
公開號	1224084	公開日	1999.07.28
主分類號	C30B19/00	分類號	C30B19/00
申請號	98112814.9
分案原申請號		申請日	1998.01.23
頒證日		優先權
申請人	西安理工大學	地址	710048陜西省西安市金花南路
發明人	陳治明	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	西安理工大學專利事務所	代理人	楊引雪; 倪金榮
摘要	本發明利用硅襯底上異質外延的β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體，屬于晶體制備技術領域，是針對碳化硅這種難熔、難制晶體提出的一種特殊方法。這種方法把３Ｃ－ＳiＣ異質外延單晶薄層及其硅襯底作為一體化的液相外延襯底和源，利用硅襯底熔化后溶解石墨坩堝壁形成的碳飽和溶液，實現以β－ＳiＣ外延薄膜為籽晶進行的碳化硅晶體單面拋光的低溫、低成本生長。由于生長過程只涉及高純石墨和硅片，可避免升華法生長碳化硅的高度雜質補償。