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申請(qǐng)?zhí)枺?span>201080004584申請(qǐng)人：六號(hào)元素有限公司
摘要：用于合成單晶金剛石的高壓高溫(HPHT)方法，其中描述了使用具有至少(1)的縱橫比和基本上平行于{110}晶面的生長(zhǎng)表面的單晶金剛石籽晶。在1280℃-1390℃范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行生長(zhǎng)。
獨(dú)立權(quán)利要求：1.合成單晶金剛石的方法，包括：(a)選擇具有生長(zhǎng)表面的單晶金剛石籽晶，該生長(zhǎng)表面具有兩個(gè)正交尺度a*和b*，其中a*是在生長(zhǎng)表面的平面內(nèi)基本沿著或方向的生長(zhǎng)表面的最長(zhǎng)尺度，且b*是在與位于生長(zhǎng)表面平面內(nèi)的a*正交的方向上的生長(zhǎng)表面的最長(zhǎng)尺度，其中由a*/b*定義的生長(zhǎng)表面的縱橫比為至少1并且生長(zhǎng)表面基本平行于{110}晶面；(b)將籽晶安裝在襯底表面之上或之內(nèi)，使得籽晶的生長(zhǎng)表面得到暴露，且籽晶的生長(zhǎng)表面基本平行于襯底表面；和(c)在高壓高溫環(huán)境下，于1280℃-1390℃范圍內(nèi)的溫度下在使得在籽晶的至少生長(zhǎng)表面上產(chǎn)生單晶金剛石的條件下進(jìn)行晶體生長(zhǎng)；其中，合成的單晶金剛石具有沿著或方向的最長(zhǎng)尺度a#，該最大尺度a#超過(guò)至少2mm。
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