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哈工大“一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

哈工大“一種同質外延生長單晶金剛石的籽晶襯底真空釬焊方法”榮獲中國專利金獎

7月26日,第二十三屆中國專利獎評選結果揭曉,哈爾濱工業大學斬獲一金一銀(全國專利金獎30項、專利銀獎60項),...

日期 2022-08-08   
第六屆硅晶體生長技術交流會推遲到2022年12月份舉辦

第六屆硅晶體生長技術交流會推遲到2022年12月份舉辦

因為新冠疫情不可抗拒因素,上海SNEC光伏展會確定由2022年5月24日至5月26日延期到2022年12月27日...

日期 2022-04-22   

金剛石的晶體生長奧秘

金剛石的晶體生長奧秘
金剛石的晶體生長奧秘
金剛石的晶體生長奧秘

在自然界的平衡環境中,大多數晶體的形成及其生長和變化都需要經歷漫長的地質歷史。但是在實驗室條件下,晶體形成和生長的時間尺度就可以大大縮短。這固然是人工條件下改變了晶體的...

日期 2022-04-21   

NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展

NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展
NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展
NCM綜述 | 哈爾濱工業大學朱嘉琦教授:單晶金剛石異質外延生長過程中的位錯行為及其控制工藝研究進展

單晶金剛石憑借優異的力、熱、光、電等性質,在探測器、功率器件、量子計算等領域具有廣泛的應用前景,但大尺寸低缺陷高純度晶體的合成是制約其應用的主要瓶頸。作為兩種最常用的C...

日期 2021-12-29   
哈爾濱工業大學915MHz微波等離子體化學氣相沉積系統(金剛石生長設備)公開招標公告

哈爾濱工業大學915MHz微波等離子體化學氣相沉積系統(金剛石生長設備)公開招標公告

哈爾濱工業大學915MHz微波等離子體化學氣相沉積系統(金剛石生長設備)招標項目的潛在投標人應在必聯網(http...

日期 2021-10-12   

沃爾德獲71家機構調研:可基本穩定生長10-11克拉的鉆石毛坯

沃爾德10月8日發布投資者關系活動記錄表,公司于2021年9月28日接受71家機構單位調研,機構類型為QFII、保險公司、其他、基金公司、海外機構、證券公司、陽光私募機...

日期 2021-10-11   

高氣壓下雙基片結構MPCVD側向外延生長單晶金剛石的研究

高氣壓下雙基片結構MPCVD側向外延生長單晶金剛石的研究
高氣壓下雙基片結構MPCVD側向外延生長單晶金剛石的研究
高氣壓下雙基片結構MPCVD側向外延生長單晶金剛石的研究

單晶金剛石(SCD)具有優異的物理化學性能,在制備時通常需要高功率微波等離子體源,可以通過提高功率或者增加壓力等方式來進行制備。然而,在高沉積壓力作用下,微波等離子球的...

日期 2021-09-09   
苑博士講鉆石:CVD生長培育鉆石技術突破的第一階段已成功

苑博士講鉆石:CVD生長培育鉆石技術突破的第一階段已成功

CVD生長培育鉆石第一階段成功的定義,為利用2英寸托盤的反應爐同時生長出:1、正白顏色。2、SI1以上凈度。3、...

日期 2021-06-17   

WT:CVD金剛石生長技術的意義

21世紀是由技術的快速發展推動的,這些技術加強了創造具有高導電特性的新材料的動力。因此,鑒于實驗室生長鉆石的高物理性質及其與其他材料結合的多功能性,人造鉆石不僅作為珠寶...

日期 2021-04-15   
MPCVD 單晶金剛石生長研究及其進展

MPCVD 單晶金剛石生長研究及其進展

金剛石作為新一代寬禁帶半導體具有優異的電學特性,比如大的禁帶寬度(5.5eV)、高的載流子遷移率(空穴:3800...

日期 2021-02-05   

硅摻雜對高溫高壓合成金剛石大單晶生長的影響

硅摻雜對高溫高壓合成金剛石大單晶生長的影響
硅摻雜對高溫高壓合成金剛石大單晶生長的影響
硅摻雜對高溫高壓合成金剛石大單晶生長的影響

金剛石具有極其優異的性能,例如最高的硬度和最大的導熱率,極寬的透光波段以及耐酸堿腐蝕性能強等特點。同時,金剛石的相關色心缺陷,如氮空位(NV)中心、硅空位(Si?V)中...

日期 2020-06-23   
四方達:疫情之下的“逆生長”

四方達:疫情之下的“逆生長

2020年的一場疫情,讓大多數線下商業一夜之間歇業。各行各業的有效需求都被疫情抑制。在復工復產的大浪潮下,很多企...

日期 2020-04-23   

改進的化學氣相沉積生長方法,消除雜質,制備單層單晶石墨烯!

改進的化學氣相沉積生長方法,消除雜質,制備單層單晶石墨烯!
改進的化學氣相沉積生長方法,消除雜質,制備單層單晶石墨烯!
改進的化學氣相沉積生長方法,消除雜質,制備單層單晶石墨烯!

科學家們研究了一個真正的單層,即大面積石墨烯薄膜覆蓋在大面積銅箔上。改進了化學氣相沉積(CVD)生長方法,消除了石墨烯生長在銅箔上的所有碳雜質。這種均勻“完美”的單層單...

日期 2019-09-05   

“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延

“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延
“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延
“超大”單晶片和“超大”鉆石生長之:金剛石異質外延

金剛石具有寬帶隙,高熱導率,高載流子遷移率,低介電常數等優越特性,在各領域中有著巨大的應用價值。其中,金剛石單晶更以其沒有晶界和較低的缺陷密度而成為目前金剛石在高功率及...

日期 2019-05-10   

集聚全產業鏈 共建生長平臺——超硬材料企業產業對接懇談會圓滿舉辦

集聚全產業鏈 共建生長平臺——超硬材料企業產業對接懇談會圓滿舉辦
集聚全產業鏈 共建生長平臺——超硬材料企業產業對接懇談會圓滿舉辦
集聚全產業鏈 共建生長平臺——超硬材料企業產業對接懇談會圓滿舉辦

2019年4月23日下午,由中國超硬材料網與奧克斯產城事業部共同發起的超硬材料企業產業對接懇談會在鄭州上街生態新城指揮部成功舉辦。上街區科工局局長王玉潔、上街區生態新城...

日期 2019-04-25   
科研創新 | 黃河旋風攻克2~3克拉培育鉆石快速生長技術瓶頸

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培育鉆石項目組傳出喜訊,2~3克拉培育鉆石項目取得突破進展,項目組在前期克拉鉆石生產工藝穩定的基礎上,開發出培育...

日期 2018-09-03   
生長速率提高10倍!科學家成功開發10微米厚的高品質單晶硅

生長速率提高10倍!科學家成功開發10微米厚的高品質單晶硅

東京理工大學和早稻田大學的一個研究小組已經成功的制造出高質量的薄膜單晶硅,其晶體缺陷密度降低到了硅晶圓級,其增長...

日期 2018-03-20   
微波等離子體化學氣相沉積法生長單晶金剛石用的沉積臺

微波等離子體化學氣相沉積法生長單晶金剛石用的沉積臺

申請號:201720707933.3申請日:2017.06.16申請人:北京科技大學發明人:李成明;趙云;林亮珍...

日期 2018-01-08   
一種利用方形槽鑲嵌式襯底托抑制多晶金剛石生長的方法

一種利用方形槽鑲嵌式襯底托抑制多晶金剛石生長的方法

申請號:201710322318.5申請人:中國電子科技集團公司第四十六研究所發明人:齊成軍陳建麗張嵩王再恩王軍...

日期 2017-08-28   
一種基于孕鑲金剛石原位沉積生長金剛石涂層的工藝方法

一種基于孕鑲金剛石原位沉積生長金剛石涂層的工藝方法

申請號:201710120268.2申請人:同濟大學發明人:簡小剛黃卓甘熠華 

日期 2017-07-19   
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第六屆磨料磨具磨削展覽會暨2023金剛石產業大會

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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

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