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用含硅的觸媒合金合成對金剛石晶體生長產(chǎn)生什么影響?

答:實踐證明,硅對人造金剛石晶體生長的影響主要表現(xiàn)在兩個方面:一是能使晶體生長速度明顯加快;二是不同晶面的生長速度受壓力和溫度的影響較大。

日期 2012-07-27   

合金晶格常數(shù)和磁矩對金剛石晶體生長的影響?

答:用下述合金合成金剛石,其差別十分明顯,如用含Mn5%的合金生長金剛石,70/80占12.9%,是含Mn10%合金的2.3~5.1倍,而40/50是含Mn10%合金的...

日期 2012-07-11   

Mn-Ni-C系合金的化學(xué)成分對金剛石晶體的生長參數(shù)、產(chǎn)量和質(zhì)量有何重要影響?

答:(1)常壓下,在含有30-40%Ni的Mn-Ni-C系合金中碳的存在明顯地降低其熔點。(2)~48.9GPa壓力和含有46~48%的Ni的Mn-Ni-C系合金的參與...

日期 2012-07-10   

觸媒合金表面結(jié)構(gòu)變化對金剛石晶體生長有什么影響?

答:關(guān)于這個問題可以從以下兩個事實給予說明。例1:用滲氮和不滲氮觸媒合成金剛石的效果表明,觸媒滲氮有提高金剛石晶體抗壓強度的作用,但金剛石得量很低,由X衍射分析得知,鎳...

日期 2012-07-09   

觸媒合金滲碳對金剛石生長有何影響?

答:合金片滲碳后之所以失去觸媒作用,主要是以下兩方面原因造成的:(1)合金晶體結(jié)構(gòu)被破壞,從而破壞了金剛石成核的結(jié)晶基底。(2)合金d帶電子組態(tài)被破壞,

日期 2012-07-06   

靜壓觸媒法生長金剛石的一個最基本現(xiàn)象

答:觀察分析證明,金剛石生長工藝中整個金剛石表層都附有一層金屬膜,為了弄清膜的性質(zhì),對膜進行了探針及電子束掃描分析,表所列數(shù)據(jù)是Ni70Mn25Co5合成金剛石的金屬膜...

日期 2012-06-20   

當溫度固定在金剛石生長區(qū)間,改變壓力NiMnCo合金中金剛石與再結(jié)晶石墨相對含量有什么關(guān)系?

答:隨著壓力的升高,Ni70Mn25Co5合金中,再結(jié)晶石墨變得越來越細小。表金剛石與再結(jié)晶石墨的相對含量壓力(GPa)Ni70Mn25Co5合金中金剛石與再結(jié)晶石墨含...

日期 2012-06-19   

一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法

專利號:201110119079申請人:天津理工大學(xué)技術(shù)簡要說明:一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法,采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜,具體步驟如下:

日期 2012-06-04   

金剛石生長室的填裝方式有哪些?

問:金剛石生長室的填裝方式有哪些?答:金剛石生長室的填裝方式,由于研究對象和工作目的不同,方式很多,主要有:(1)片

日期 2012-04-20   

一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法

專利號:CN102212795A申請人:天津理工大學(xué)一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法,采用多步生長法來沉積納米金剛

日期 2012-04-12   

金剛石膜生長電極彈性張緊裝置

專利號:CN102226273A申請人:南京航空航天大學(xué)一種金剛石膜生長電極彈性張緊裝置,包括底板和襯底工作臺,其特

日期 2012-03-23   

天然金剛石與人造金剛石生長根本區(qū)別怎樣?

天然金剛石與人造金剛石生長最根本的區(qū)別有以下三點:(1)溶劑的不同,天然金剛石是從硅酸鹽溶液中生長的,在其中碳的溶解度非常低,而人造金剛石是從金屬熔體中生長出來的,其中...

日期 2011-10-11   

碳化硅晶體生長的方法和裝置

名稱碳化硅晶體生長的方法和裝置公開號1384892公開日2002.12.11主分類號C30B25/00分

日期 2010-12-24   

在沿<1100>方向切割的基片上生長的碳化硅外延層

名稱在沿方向切割的基片上生長的碳化硅外延層公開號1377311公開日2002.10.30主分類號

日期 2010-12-24   

在藍寶石襯底上異質(zhì)外延生長碳化硅薄膜的方法

名稱在藍寶石襯底上異質(zhì)外延生長碳化硅薄膜的方法公開號1369904公開日2002.09.18主分類號H01L21/3

日期 2010-12-24   

塊狀碳化硅單晶生長的制備方法

名稱塊狀碳化硅單晶生長的制備方法公開號1367275公開日2002.09.04主分類號C30B29/36

日期 2010-12-24   

生長非常均勻的碳化硅外延層

名稱生長非常均勻的碳化硅外延層公開號1282386公開日2001.01.31主分類號C30B25/02

日期 2010-12-23   

無色碳化硅晶體的生長

名稱無色碳化硅晶體的生長公開號1210565公開日1999.03.10主分類號C30B23/00

日期 2010-12-23   

用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體

名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長碳化硅單晶體公開號1224084公開日1999.07.28主分類號C30B

日期 2010-12-23   

減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)

名稱減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)公開號1167511公開日1997.12.10主分類號

日期 2010-12-23   
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