專利號：CN102212795A

        申請人：天津理工大學

        一種高致密納米金剛石薄膜的生長方法，采用多步生長法來沉積納米金剛石薄膜，具體步驟如下：１）將硅襯底用磨料進行研磨處理；２）在上述研磨處理后的硅襯底上沉積金剛石；３）對上述已沉積的金剛石薄膜表面用磨料進行研磨處理；４）在上述研磨處理后的金剛石薄膜表面再次沉積金剛石；５）重復進行步驟３）和４），即可制得高致密納米金剛石薄膜。本發明的優點是：１）可以制得晶粒小于１００ｎｍ的高致密納米金剛石薄膜；２）金剛石薄膜的晶粒范圍和致密程度可通過調節沉積方法、沉積時間和研磨－沉積重復次數來進行控制；３）制備方法簡單易行；４）用于研磨的金剛石粉容易獲取，可循環利用，成本低廉。