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用于金剛石單晶生長的鉀鎂煌斑巖基容器

申請?zhí)枺?01320133175申請人:江蘇西玉鉆石科技有限公司摘要:本實用新型涉及一種用于人造金剛石單晶生長的鉀鎂煌斑巖基容器,具有坩堝容器,坩堝容器具有壁體以及由壁...

日期 2013-11-06   

一種金剛石單晶生長用石墨梯度發(fā)熱元件

申請?zhí)枺?01320136502申請人:江蘇西玉鉆石科技有限公司摘要:本實用新型涉及一種人造金剛石單晶生長用石墨梯度發(fā)熱元件,具有錐形石墨發(fā)熱管,錐形石墨發(fā)熱管具有發(fā)熱...

日期 2013-09-30   
等離子體射流反應器加快金剛石生長速率

等離子體射流反應器加快金剛石生長速率

近日,英國的一項等離子體射流反應器技術將替代傳統(tǒng)的微波反應器技術來快速生產(chǎn)人造金剛石,其合成速度或?qū)⒈纫郧疤岬?...

日期 2013-08-06   
石墨烯生長納米線技術

石墨烯生長納米線技術

自組裝線結(jié)構(gòu)由材料成分的核和外殼組成,這是未來先進電子設備應具備的特質(zhì)。納米線作為一種半導體材料的納米級微型導線...

日期 2013-07-13   
MC模擬研究CVD聚晶金剛石薄膜生長

MC模擬研究CVD聚晶金剛石薄膜生長

近日,俄羅斯國立大學Skobel’tsyn研究所的Yu.A.Mankelevich和英國Bristol大學化學院...

日期 2013-06-18   
石墨烯超低溫可控外延生長研究取得進展

石墨烯超低溫可控外延生長研究取得進展

近日,微尺度物質(zhì)科學國家實驗室張振宇教授理論研究組與國內(nèi)外相關課題組合作,在石墨烯超低溫可控外延生長研究方面取得...

日期 2013-06-06   

高溫高壓生長金剛石的內(nèi)部即時測溫裝置

申請?zhí)枺?01220643240申請人:臺鉆科技(鄭州)有限公司摘要:本實用新型涉及一種測量裝置,特別涉及一種用于高溫高壓生長金剛石的內(nèi)部即時測溫裝置,包含熱電偶絲及溫...

日期 2013-05-15   

一種CBN粉體表面生長瘤狀物的方法

申請?zhí)枺篊N102330078A申請人:鄭州輕工業(yè)學院本發(fā)明公開了一種CBN粉體表面生長瘤狀物的方法,步驟如下:將CBN粉體進行除油、粗化、敏化、活化、還原處理,然后進...

日期 2013-03-19   

金剛石薄膜生長方法是怎樣分類的?

答:金剛石薄膜的生長方法有很多種,歸納起來可分為兩大類。一類是化學氣相沉積方法,簡稱CVD;另一類是物理氣相沉積方法,簡稱PVD法。這兩類方法中,前者多使用真空度不高但...

日期 2012-12-06   

金剛石薄膜生長的一般規(guī)律是什么?

答:金剛石薄膜的形成過程一般要經(jīng)歷3個階段,即成核及分立晶體的生長、島狀結(jié)構(gòu)(或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu))的形成和連續(xù)薄膜的形成。(1)金剛石薄膜的成核晶體成核分為兩種類型:均相成核和...

日期 2012-12-04   

生長較粗的優(yōu)晶或提高45/50粒度的金剛石強度和單產(chǎn)其必要條件和充分條件是什么?

答:實現(xiàn)上述目標的必要和充分條件是:(1)保證有較大的生長空間和足夠合適的合成時間;(2)控制成核數(shù)量不宜過多過密,保證晶粒之成核點間距和均勻分布(與控制工藝有關);(...

日期 2012-11-14   

金剛石生長中影響壓力的因素有哪些

答:1、焙燒溫度:同樣的葉臘石塊,用不同的溫度焙燒,其傳壓性能不同,如果焙燒溫度低,其剪切強度小,摩擦系數(shù)過小,在加壓時葉蠟石易從壓頭之間擠出,這樣密封性能差,壓力建立...

日期 2012-11-09   
金剛石單晶生長的聲發(fā)射信號分析

金剛石單晶生長的聲發(fā)射信號分析

在2012中國超硬材料技術發(fā)展論壇上,來自中原工學院材料與化工學院的劉磊作了關于《金剛石單晶生長的聲發(fā)射信號分析...

根據(jù)什么原則來選擇優(yōu)質(zhì)金剛石晶體生長參數(shù)?

答:(1)起始加熱、加壓時間(2)臺階壓力。石墨在合金中的再結(jié)晶實驗結(jié)果顯示,臺階壓力的選擇不是任意的,不能過低,也不能過高,臺階壓力過低,石墨在再結(jié)晶階段不能很好地向...

日期 2012-11-02   

金剛石晶體生長的產(chǎn)量、質(zhì)量與工藝參數(shù)的選擇關系是什么?

答:(1)升溫表壓約最終合成表壓的一半,實踐表明,其數(shù)值的高度明顯影響金剛石的粒度粗細,一般來講,降低升溫表壓,有利于金剛石粒度粗。(2)暫停表壓比合成表壓約低10~1...

日期 2012-10-16   

何謂晶體生長和晶體生長速率?

答:當穩(wěn)定的晶核已在基質(zhì)中形成之后,在適當?shù)倪^冷度和過飽和條件下,基質(zhì)中的原子(或原子團)向界面遷移,到達適當?shù)纳L位置,使晶體長大,在人工晶體專業(yè)中“晶體...

日期 2012-09-22   

影響金剛石晶體生長的主要因素有哪些?

答:一般認為,一個晶體的生長由以下兩個因素所決定:一個是它的內(nèi)部構(gòu)造,另一個是他的外部條件,對于人造金剛石晶體生長來講,壓力、溫度、熔煤是生長過程中幾個重要的外部條件。...

日期 2012-09-17   
什么是生長區(qū)內(nèi)金剛石類型分布特征及晶體生長規(guī)律?

什么是生長區(qū)內(nèi)金剛石類型分布特征及晶體生長規(guī)律?

答:根據(jù)熱力學觀點與實踐經(jīng)驗之綜合,把各生長區(qū)內(nèi)的金剛石晶體生長特征及質(zhì)量分布規(guī)律劃分結(jié)果如圖所示。各粒度線區(qū)的...

日期 2012-08-31   

探討人造金剛石晶體生長機理的意義何在?

答:非金剛石型碳轉(zhuǎn)變成金剛石型碳這一相變過程中,壓力、溫度等是變化的條件,碳原子及其集團的運動和相互作用等是相變的根據(jù)。壓力、溫度等外因是通過碳原子及其集團的運動和相互...

日期 2012-08-24   

何謂金剛石人工生長的機理?

答:所謂金剛石人工生長的機理,就是指非金剛石型碳(起始狀態(tài))向金剛石(終止態(tài))轉(zhuǎn)變的反應過程,即非金剛石型碳以什么方式,具備什么條件,經(jīng)過什么途徑向金剛石轉(zhuǎn)化的問題。

日期 2012-08-21   
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