作為一種超寬帶隙半導體材料，金剛石具有禁帶寬度大、載流子遷移率高，載流子飽和漂移速度大、臨界擊穿場強大、熱導率高等優點，非常適合用于制備高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的電...
推薦語：瞄準金剛石晶圓制備這一制約其應用的技術難題，從形核與生長基本理論出發，通過闡述金剛石形核裝置、工藝窗口、形核現象、織構生長、位錯控制等關鍵技術細節，對Ir襯底上...
7月26日，第二十三屆中國專利獎評選結果揭曉，哈爾濱工業大學斬獲一金一銀（全國專利金獎30項、專利銀獎60項），...
單晶金剛石憑借優異的力、熱、光、電等性質，在探測器、功率器件、量子計算等領域具有廣泛的應用前景，但大尺寸低缺陷高純度晶體的合成是制約其應用的主要瓶頸。作為兩種最常用的C...
單晶金剛石（SCD）具有優異的物理化學性能，在制備時通常需要高功率微波等離子體源，可以通過提高功率或者增加壓力等方式來進行制備。然而，在高沉積壓力作用下，微波等離子球的...
申請號：201510443127.5申請人：哈爾濱工業大學發明人：朱嘉琦舒國陽代兵陳亞男楊磊王強王楊劉康趙繼文孫...
申請號：201510199722.9申請人：哈爾濱工業大學發明人：舒國陽代兵朱嘉琦王楊楊磊韓杰才&
申請號：201410794743.0申請人：哈爾濱工業大學發明人：王楊代兵朱嘉琦舒國陽摘要：本發明公開
近日，微尺度物質科學國家實驗室張振宇教授理論研究組與國內外相關課題組合作，在石墨烯超低溫可控外延生長研究方面取得...
名稱在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法公開號1369904公開日2002.09.18主分類號H01L21/3
名稱減少碳化硅外延生長中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結構公開號1167511公開日1997.12.10主分類號
2月7日，中國超硬材料網總經理石超一行走進鄭州沃德超硬材料有...
10月28日，中國超硬材料網總經理石超、顧問呂華偉、南陽富櫳...
中國超硬材料網將通過一件件大事件回顧2023年的超硬材料行業華麗蝶變，在回顧和盤點中，溫故知新！
2023年9月20日，時隔四年，期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展，加強國內外企業的交流與合作。
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