化學機械拋光的原理是，在機械研磨晶片的同時發生了化學腐蝕作用，這樣就能除去切片或磨片時所產生的機械表面損傷層（或稱亞表面損傷層），使晶體片表面光潔如鏡，達到預定的拋光效果。
　　在實驗室中使用的化學機械拋光方法主要有兩種：鉻離子拋光和二氧化硅膠體拋光。我們用二氧化硅化學機械拋光的方法，對硅片進行加工，舉例說明其化學機械拋光的原理：
　　二氧化硅是酸性氧化物，所以將二氧化硅溶入氫氧化鈉溶液中，有小部分二氧化硅與氫氧化鈉反應生成硅酸鈉（Na2SiO3），其反應式如下：
　　Si02+2NaOH=Na2SiO3+H2O
　　大部分二氧化硅微粉分散在氫氧化鈉水溶液中，形成二氧化硅膠體。用二氧化硅與氫氧化鈉溶液配制成的二氧化硅膠體拋光液，PH一般控制在9左右。
　　二氧化硅膠體中的氫氧化鈉對硅有腐蝕作用，生成硅酸鈉溶于水中，從而對硅片產生了化學拋光作用，其反應如下：
　　Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2
　　同時，二氧化硅膠粒對硅片也起機械拋光作用。
　　歸納起來就是：硅片表面被堿腐蝕，生成硅酸鹽。二氧化硅膠體顆粒對這層不完全鍵合的硅酸鹽進行機械磨削。實現去除晶體片表面機械損傷層，使之表面平整光潔如鏡。
　　切磨拋工藝看起來簡單，但操作起來還是很有學問的，是很細致地工作。不注意就會出現問題，所加工的晶體片的質量就無法保證，或者要走彎路。下面，就切磨拋工序的一些操作步驟，為什么要這樣的，介紹給大家，使您工作起來很順利。