手機資訊
官方微信摘要 名稱類金剛石薄膜形成裝置和形成方法公開號1178263公開日1998.04.08主分類號C30B29/04
| 名稱 | 類金剛石薄膜形成裝置和形成方法 | ||
| 公開號 | 1178263 | 公開日 | 1998.04.08 |
| 主分類號 | C30B29/04 | 分類號 | C30B29/04 |
| 申請號 | 97117950.6 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1997.09.01 | |
| 頒證日 | 優先權 | [32]1996.8.30[33]JP[31]230550/96;[32]1996.8.30[33] | |
| 申請人 | 三菱電機株式會社 | 地址 | 日本東京 |
| 發明人 | 田直幸; 山地茂; 中谷元 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 上海專利商標事務所 | 代理人 | 孫敬國 |
| 摘要 | 本發明的課題是獲得一種與基材密接性好、高硬高且平整性出色的高質量金剛石狀碳（ＤＬＣ）薄膜。它包括：在真空槽１內保持基材３的基材基座４；調整基材３溫度的基材溫度調整機構６；與基材３相對的氣體離子源１０；在基材３上加電壓的偏置手段５，上述氣體離子源１０由與基材３相對設有節流孔的反應氣體導入室１１；熱電子輻射手段１２；熱電子引出電極１３和加速電極１５組成。此外，包括具有熱電子輻射手段１２和向基材３加速離子的加速電極１５的氣體離子源１０，同時具有相對于加速電極１５ | ||
豫公網安備41019702003646號