名稱 | 類金剛石薄膜作光學增透膜的新應用 | ||
公開號 | 1076552 | 公開日 | 1993.09.22 |
主分類號 | H01L31/0216 | 分類號 | H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18;C23C16/26;C23C16 |
申請號 | 92108354.8 | ||
分案原申請號 | 申請日 | 1992.03.17 | |
頒證日 | 上海科學技術大學 | 優先權 | 201800上海市嘉定縣南門城中路20號 |
申請人 | 夏義本; 安其霖; 居建華; 史偉民; 王鴻 | 地址 | |
發明人 | 國際申請 | ||
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構 | 上海高校專利事務所 | 代理人 | 張建成 |
摘要 | 類金剛石薄膜以高頻等離子體氣相淀積法,涂覆于硅太陽能與紅外探測器上,具有增透膜的用途。本發明解決了該類光電器件原有增透膜的光電轉換率及光透性差問題,特別是應用于硅太陽能電池上,已使其光譜響應明顯提高;短路電流增加率達37.9%,也已接近40%理論值;于600~700nm波長內量子效率近于1。用于紅外探測器特別是碲鎘汞材料所制器件,既解決了8~14μm光增透材料,而且使透射率平均提高16%。 |