| 名稱 | 電沉積金-碳化硅復合鍍層 | ||
| 公開號 | 85100021 | 公開日 | 1986.01.10 |
| 主分類號 | C25D15/00 | 分類號 | C25D15/00;C25D3/48;H01H1/02 |
| 申請號 | 85100021 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1985.04.01 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 天津大學 | 地址 | 天津市南開區七里臺 |
| 發明人 | 郭鶴桐; 王兆勇; 邱訓高 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 天津大學專利代理事務所 | 代理人 | 張宏祥; 曲遠方 |
| 摘要 | 一種用于繼電器觸點的抗電侵蝕的耐磨復合鍍層,是用電鍍方法沉積在銅合金或其他金屬基體上.復合鍍層中彌散有占鍍層體積0.1-10%,粒徑小于0.5微米的SiC 微粒.這種金基復合鍍層具有比純金高的顯微硬度,低的摩擦系數,接觸電阻略大于金,但低于金合金,并且耐電侵蝕性、抗腐蝕及抗變色能力強.這種Au-SiC復合鍍層可在含有SiC微粒的,氰化物的、酸性的及亞硫酸鹽的鍍金溶液中獲得. | ||
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