摘要 名稱高致密、低氣孔率氮化硅-碳化硅-氧化物系統耐火材料公開號1085200公開日1994.04.13主分類號C04B35
名稱 | 高致密、低氣孔率氮化硅-碳化硅-氧化物系統耐火材料 | ||
公開號 | 1085200 | 公開日 | 1994.04.13 |
主分類號 | C04B35/58 | 分類號 | C04B35/58;C04B35/56 |
申請號 | 93112548.0 | ||
分案原申請號 | 申請日 | 1993.09.03 | |
頒證日 | 優先權 | ||
申請人 | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 | 地址 | 200050上海市長寧區定西路1295號 |
發明人 | 潘裕柏; 江東亮; 譚壽洪; 王菊紅 | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構 | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人 | 潘振∴ |
摘要 | 本發明涉及氮化硅-碳化硅-氧化物耐火材料,屬于氮化硅結合碳化硅基耐火材料。本發明提供耐火材料具體組分(wt%)為:Si#-[3]N#-[4]10 —30,SiC50—80,Y#-[2]O#-[3]2—10,Al#-[2]O#-[3] 1—15。該耐火材料具有強度高、高致密、低氣孔且第一熱震系數優于一般的氮化硅結合的碳化硅,且制作工藝簡單、成本低、重復性好等優點。 |