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SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術該往何處發展?

從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術該往何處發展?
從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術該往何處發展?
從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術該往何處發展?

透明硬脆材料由于其出色的機械強度、熱穩定性、抗腐蝕性以及優良的光電性能,已被廣泛應用于半導體和電子器件制造領域。然而,傳統的切片工藝,如金剛線切割,存在效率低、材料浪費...

日期 2024-10-17   

碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅作為一種新興的半導體材料,具有導熱率高、寬禁帶、高擊穿電場、高電子遷移率等特性,使得其成為目前研發比較集中的半導體材料之一。因為這些性能,碳化硅可以廣泛地應用于襯...

日期 2024-08-05   

砂輪參數對SiC減薄工藝的影響

砂輪參數對SiC減薄工藝的影響
砂輪參數對SiC減薄工藝的影響
砂輪參數對SiC減薄工藝的影響

SiC器件正面工藝完成后,需要用到減薄工藝對襯底進行減薄加工,降低器件的導通電阻。尤其對于600-1200V的中低壓SiC器件,襯底電阻帶來的損耗影響了SiC器件的高效...

日期 2024-05-30   

安泰科技:公司金剛石半導體產品可用于第三代半導體SiC晶圓加工

金融界1月19日消息,有投資者在互動平臺向安泰科技提問:董秘您好:最近北京貝塔伏特新能源公司的微型原子能電池即將量產,據說能50年不充電。據貝塔特公司介紹這種核電池是主...

日期 2024-01-22   
DISCO推出新型自動研磨機,可加工8英寸的硅和SiC晶圓

DISCO推出新型自動研磨機,可加工8英寸的硅和SiC晶圓

近日,DISCO公司開發了DFG8541,這是一款全自動研磨機,可以加工最大尺寸為8英寸的硅和SiC晶圓。它已在...

日期 2023-01-13   

這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN

這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN
這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN
這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN

在“SEMICONJapan2022”(2022年12月14日至16日,東京國際展示場)上,首次舉辦了“學術獎”,以表彰有前途的大學/研究生院半導體研究。最高獎頒發給大...

日期 2023-01-09   

超精密切削SiCp/Al復合材料有限元仿真研究

超精密切削SiCp/Al復合材料有限元仿真研究
超精密切削SiCp/Al復合材料有限元仿真研究
超精密切削SiCp/Al復合材料有限元仿真研究

碳化硅顆粒增強鋁基復合材料因其優良的力學性能,在航空航天和交通運輸等領域得到廣泛應用,成為衛星軸承、激光反射鏡和光學座架等高要求零件的新型工程材料。該材料因為SiC顆粒...

日期 2019-11-26   

cBN 砂輪與 SiC 砂輪加工鈦合金的對比研究

cBN 砂輪與 SiC 砂輪加工鈦合金的對比研究
cBN 砂輪與 SiC 砂輪加工鈦合金的對比研究
cBN 砂輪與 SiC 砂輪加工鈦合金的對比研究

綠碳化硅砂輪或其他以綠碳化硅為主的混合磨料砂輪磨削鈦合金時,砂輪粘附鈦合金較嚴重,導致磨削力大,加工質量較差。本文對樹脂結合劑立方氮化硼(cBN)砂輪磨削鈦合金進行了分...

日期 2019-08-22   

鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工

鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工
鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工
鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工

摘要:新型工業產業對輕量級材料的需求促使了鋁基復合材料的研發和制備。在諸多AMMCs中,鋁金屬基體增強型碳化硼(B4C)由于其優良的耐磨性能、高硬度、高強度低重量比和高...

日期 2017-02-24   
新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產率

新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產率

日本DISCO公司的科學家們使用一種稱為關鍵無定形黑色重復吸收(keyamorphous-blackrepeti...

日期 2017-02-06   

熱處理對擠壓鑄造7075鋁合金/SiC復合材料機械性能的影響

熱處理對擠壓鑄造7075鋁合金/SiC復合材料機械性能的影響
熱處理對擠壓鑄造7075鋁合金/SiC復合材料機械性能的影響
熱處理對擠壓鑄造7075鋁合金/SiC復合材料機械性能的影響

作者:P.Laxminarayana,A.ChennakesavaReddy1.引言:復合材料由基體相和增強相組成;這兩種相構成的材料屬性比傳統材料要更加優越。多數復合...

日期 2016-10-24   
一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上尺寸SiC單晶的方法

一種利用金剛石線和金剛石砂漿同時切割6英寸及以上尺寸SiC單晶的方法

申請號:201610217100.9申請人:山東大學發明人:陳秀芳謝雪健徐現剛胡小波摘要:一種利用金剛石線和金剛...

日期 2016-08-23   
熱模壓結合化學氣相滲透CVI制備Diamond/SiC復合材料的方法

熱模壓結合化學氣相滲透CVI制備Diamond/SiC復合材料的方法

申請號:201610190733.5申請人:西北工業大學發明人:劉永勝趙志峰游薔薇趙明晞張青成來飛摘要:本發明涉...

日期 2016-08-09   
一種大粒徑Diamond/SiC復合材料的制備方法

一種大粒徑Diamond/SiC復合材料的制備方法

申請號:201510863881.4申請人:西北工業大學發明人:劉永勝趙志峰張青成來飛摘要:本發明涉及一種大粒徑...

日期 2016-03-01   
混合物理化學氣相沉積法在SiC襯底上制備MgB2超導薄膜

混合物理化學氣相沉積法在SiC襯底上制備MgB2超導薄膜

作者:J.M.Redwing,J.Lettieri,V.Vaithyanathan,D.G.Schlom,Zi-...

日期 2016-01-27   

不同襯底溫度下脈沖激光沉積制備a-SiC薄膜的結構和光學特性

不同襯底溫度下脈沖激光沉積制備a-SiC薄膜的結構和光學特性
不同襯底溫度下脈沖激光沉積制備a-SiC薄膜的結構和光學特性
不同襯底溫度下脈沖激光沉積制備a-SiC薄膜的結構和光學特性

引言納米結構碳化硅的機械強度高、硬度高、化學惰性好,比傳統碳化硅材料要優越許多。因此常用于硅基微機電系統(MEMS),壓力傳感器、核聚變裝置等設備中。納米碳化硅的發光效...

日期 2015-02-10   

第三代半導體SiC技術的崛起

第三代半導體SiC技術的崛起
第三代半導體SiC技術的崛起
第三代半導體SiC技術的崛起

第一代半導材料Si點燃了信息產業發展的“星星之火”,而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業群,促使英特爾等世界半導...

日期 2015-01-17   

專利:一種SiC粘結的金剛石研磨盤

申請號:201410391804.9申請人:蘇州宏久航空防熱材料科技有限公司摘要:一種SiC粘結的金剛石研磨盤,其特征在于所述的金剛石磨盤包括基材金剛石磨粒,前驅體浸漬...

日期 2014-11-05   
SiC陶瓷的旋轉超聲振動磨削研究

SiC陶瓷的旋轉超聲振動磨削研究

2012中國超硬材料技術發展論壇期間,來自南京航空航天大學機電學院的宮小北做了關于《SiC陶瓷的旋轉超聲振動磨削...

日期 2012-11-07   

SiC涂層對金剛石刀頭硬度和抗彎強度的影響

樣品編號基體成分體系金剛石及涂層刀頭硬度HRB刀頭抗彎強度σbb/MPa16Fe-Cu-Ni-X鍍Ti金剛石

日期 2012-09-15   
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2023年9月20日,時隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會在鄭州國際會展中心隆重開幕。本次展覽會由中國機械工業集團有限公司、國機精工股份有限公司、中國機械國際合作股份有限公司聯合主辦。旨在推動中國磨料磨具行業的快速發展,加強國內外企業的交流與合作。

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