美國北卡羅來納州立大學（NCSU）Jay Narayan教授率領其團隊研發出一種六方氮化硼（h-BN）轉化立方氮化硼（CBN）的新型制備方法，轉化速度和制備成本比傳統工藝更快、更加低廉，有望用于高功率電子器件、晶體管和固態元件等的應用。
       氮化硼有四種基本形式，其中h-BN和CBN是電子設備領域應用最為廣泛的兩種，其結構和屬性與金剛石和石墨極其類似。在集成電路應用方面，CBN的熱導性能非常好；其高頻功率性能可以和硅相媲美。
       NCSU團隊的這種新型制備方法既可以生產傳統立方氮化硼，又可以制備出一種稱之為Q-氮化硼（Q-BN）的新型物質，’Q’代表這種材料的“淬火”相，將其加熱到一定溫度然后迅速冷卻。早在2015年的應用物理期刊上，該團隊就發表了關于Q-碳也即碳的一種新型相的研究；此次Q-BN的研發就建立在該基礎上。
       Narayan教授說：“這是繼Q-碳研發和Q-碳轉化金剛石之后的又一技術成果。借助動力控制和時間控制，我們成功繞開氮化硼熱動力技術瓶頸，研發出了氮化硼的新型相”。

       該研究發表在APL材料期刊，Narayan及其團隊利用厚度為500-10000納米的熱力穩定性較好的h-BN層，來制備Q-BN和CBN。將h-BN層放置在襯底上，利用高功率激光脈沖對其進行加熱至2530℃，襯底吸收了熱量從而完成對h-BN層的“淬火”。整個實驗過程在室溫下操作進行，為時僅五分之一微秒（五百萬分之一秒）。
       實驗的關鍵在于h-BN層下面的襯底制備，該襯底影響著h-BN層的冷卻速度。通過對冷卻工藝的控制可以決定生成物是傳統CBN還是新型Q-BN。
       h-BN轉化CBN的新型方法的最大優勢在于成本低廉，室溫壓力操作，要求溫度相對較低；而傳統工藝需要將溫度提高至3225℃，壓力高達95000個大氣壓。
       低廉快速的制備工藝使得CBN在電子設備的應用研究上更加便捷，其優勢或將大于金剛石。例如，CBN的帶隙比金剛石高，在高功率元件應用方面更具優勢。
       Narayan補充道：現在，我們可以利用CBN制備大面積的單晶薄膜，還可以對其進行n型和p型摻雜物鍍附，用于高功率晶體管和轉換開關的研發制備。這些技術可以替代體積笨重的變壓器，為超級電力高速公路構建下一代電網。