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中科院微電子所取得厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成技術(shù)新突破

中科院微電子所取得厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成技術(shù)新突破

近日,中科院微電子所的高頻高壓中心傳來喜訊,劉新宇研究員團(tuán)隊攜手天津中科晶禾公司等單位,在厚膜氮化鎵(GaN)與...

中科院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

中科院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

近日,中科院微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊與天津中科晶禾公司等單位合作在厚膜氮化鎵(GaN)與多晶金剛石直...

日期 2024-03-28   
金剛石/氮化鎵又一新進(jìn)展!

金剛石/氮化鎵又一新進(jìn)展!

近日,太原理工大學(xué)周兵課題組和武漢大學(xué)袁超課題組合作,先后在國際權(quán)威期刊《MaterialsCharacteri...

日期 2023-12-19   
中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

近日,中科院微電子研究所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊與日本東京大學(xué)鹽見淳一郎團(tuán)隊合作,在氮化鎵(GaN)—金剛石...

日期 2022-03-17   

金剛石作為散熱材料在氮化鎵基電子器件中的應(yīng)用

金剛石作為散熱材料在氮化鎵基電子器件中的應(yīng)用
金剛石作為散熱材料在氮化鎵基電子器件中的應(yīng)用
金剛石作為散熱材料在氮化鎵基電子器件中的應(yīng)用

隨著GaN基電子功率轉(zhuǎn)化器的功率密度增加和尺寸減小,器件的散熱成為實際應(yīng)用的關(guān)鍵問題。金剛石在所有天然材料中具有最高的熱導(dǎo)率,可用于與GaN集成以消散AlGaN/GaN...

日期 2021-11-10   

金剛石基氮化鎵將在下一代功率器件中大展拳腳

金剛石基氮化鎵將在下一代功率器件中大展拳腳
金剛石基氮化鎵將在下一代功率器件中大展拳腳
金剛石基氮化鎵將在下一代功率器件中大展拳腳

氮化鎵(GaN)現(xiàn)在很火。而更火的是,為了進(jìn)一步提高GaN的性能,不同廠商競相將GaN與其他材料集成在一起。“無論是在器件級還是系統(tǒng)級,金剛石基氮化鎵都可以提供高導(dǎo)熱率...

日期 2020-05-27   

金剛石可以改善氮化鎵器件的冷卻效果

金剛石可以改善氮化鎵器件的冷卻效果
金剛石可以改善氮化鎵器件的冷卻效果
金剛石可以改善氮化鎵器件的冷卻效果

將氮化鎵(GaN)等寬帶隙材料與金剛石等導(dǎo)熱材料集成在一起的室溫鍵合技術(shù)可以提高GaN器件的冷卻效果,并通過更高的功率水平、更長的器件壽命、更高的可靠性和更高的性能來提...

日期 2020-03-16   

人造金剛石襯底:氮化鎵技術(shù)的潛力釋放者

人造金剛石襯底:氮化鎵技術(shù)的潛力釋放者
人造金剛石襯底:氮化鎵技術(shù)的潛力釋放者
人造金剛石襯底:氮化鎵技術(shù)的潛力釋放者

較高復(fù)雜性和功率密度更大的現(xiàn)代微型電子設(shè)備日益受到熱管理技術(shù)的瓶頸制約。例如氮化鎵(GaN)可以顯著提高射頻(RF)晶體管的整體性能,使其上升到一個全新的技術(shù)基準(zhǔn);但在...

日期 2015-08-04   
氮化鎵射頻新技術(shù)之金剛石襯底材料

氮化鎵射頻新技術(shù)之金剛石襯底材料

美國馬薩諸塞州的Raytheon公司近日成功研制出新一代氮化鎵(GaN)射頻技術(shù)應(yīng)用。由美國國防部高級研究計劃局...

日期 2014-04-19   

金剛石和氮化鎵結(jié)合法提高熱管理能力

許多軍事射頻系統(tǒng),如雷達(dá)和通信系統(tǒng),都采用單片微波集成電路(MMIC)功率放大器。氮化鎵MMIC放大器能大幅增強(qiáng)射頻性能,然而,工作特性卻受到熱阻的較大影響。絕大部分的...

日期 2013-05-03   

碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件

名稱碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件公開號1137331公開日1996.12.04主分類號H01L33/

日期 2010-12-23   
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