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一種合成細粒度金剛石用粉末觸媒

名稱一種合成細粒度金剛石用粉末觸媒公開號CN1428195公開日2003.07.09主分類號B01J23/889&n

日期 2010-12-21   

合成細粒度金剛石用碳化物粉末觸媒

名稱合成細粒度金剛石用碳化物粉末觸媒公開號CN1061918公開日1992.06.17主分類號B01J3/06&nbs

日期 2010-12-21   

一種合成高品級金剛石的粉末觸媒結構

名稱一種合成高品級金剛石的粉末觸媒結構公開號CN2553882公開日2003.06.04主分類號B01J3/06&nb

日期 2010-12-21   

一種合成金剛石用葉臘石粉壓成型塊的添加劑

名稱一種合成金剛石用葉臘石粉壓成型塊的添加劑公開號CN1225292公開日1999.08.11主分類號B01J3/0

日期 2010-12-21   

激光轟擊法連續合成金剛石納米珠(溶膠)的方法

名稱激光轟擊法連續合成金剛石納米珠(溶膠)的方法公開號1347843公開日2002.05.08主分類號C01B31/

日期 2010-12-16   

一種改變合成金剛石環境的添加劑

名稱一種改變合成金剛石環境的添加劑公開號1341479公開日2002.03.27主分類號B01J3/06

日期 2010-12-16   

一種合成人造金剛石用觸媒生產方法

名稱一種合成人造金剛石用觸媒生產方法公開號1396000公開日2003.02.12主分類號B01J37/00&nbs

日期 2010-12-16   

石墨的機械強度和硬度對金剛石合成有何影響?

機械強度和硬度高的碳源石墨壓縮性小,有利于穩定晶體生長時的壓力和溫度,合成效果重復性高。

日期 2010-12-15   

合成金剛石的設備有哪些?

合成金剛石設備,是生產金剛石的重要手段,根據生長原理的不同,設備也不同,按原理不同,可分為三大類型:即靜壓法合成金剛石超高壓設備,動壓法合成金剛石的爆炸設備,氣相沉積法...

日期 2010-12-15   

粉狀觸媒和片狀觸媒合成體系中金剛石形核速度有什么不同?

在粉末觸媒合成體系中,觸媒和石墨的接觸面遠大于片狀觸媒,因此,溶碳的速度也比片狀觸媒高,加之,碳在粉末觸媒中的擴散距離又普遍比片狀觸媒快,從而使得粉末觸媒合成體系中,金...

日期 2010-12-15   

改變合成壓力對金剛石合成效果有什么影響?

一般來講,隨著合成壓力的升高,金剛石產量增加,粒度變細,雜質含量和晶體缺陷增加,抗壓強度降低,晶體顏色變深。

日期 2010-12-15   

改變合成溫度對合成效果的影響?

當其它條件相同時,隨著溫度升高,金剛石產量增加,但達到一定溫度以后,繼續升高溫度,則金剛石產量減少。繼續升高溫度會使金剛石向石墨反轉變,從而降低金剛石產量,單顆粒抗壓強...

日期 2010-12-15   

市場上現鉆石仿冒品 它的名字叫合成碳化硅

一種新型鉆石仿冒品在我市出現。昨天,市質檢院發出消費提醒,近3個月來,該院寶玉石檢驗站在日常檢測中,檢出5件合成碳化硅仿鉆石戒指。這種合成碳化硅和鉆石相似度很高,建議市...

日期 2010-12-14   

一種與觸媒共同合成人造金剛石的透亮劑及其制作方法

名稱一種與觸媒共同合成人造金剛石的透亮劑及其制作方法公開號1255403公開日2000.06.07主分類號B01J3

日期 2010-12-10   

一種人造金剛石合成用傳壓空心立方塊

名稱一種人造金剛石合成用傳壓空心立方塊公開號1291525公開日2001.04.18主分類號B01J3/06&nbs

日期 2010-12-10   

一種由超細炭粉合成金剛石粉粒體的制備方法

名稱一種由超細炭粉合成金剛石粉粒體的制備方法公開號1281748公開日2001.01.31主分類號B01J3/06&

日期 2010-12-10   

高產低耗金剛石合成新工藝

名稱高產低耗金剛石合成新工藝公開號1203832公開日1999.01.06主分類號B01J3/06

日期 2010-12-10   

一種合成金剛石用葉臘石粉壓成型塊的添加劑

名稱一種合成金剛石用葉臘石粉壓成型塊的添加劑公開號1225292公開日1999.08.11主分類號B01J3/06&

日期 2010-12-10   

一種金屬溶劑熱還原合成金剛石及其類似結構材料的方法

名稱一種金屬溶劑熱還原合成金剛石及其類似結構材料的方法公開號1216287公開日1999.05.12主分類號C01B31

日期 2010-12-10   

間隔溫差法合成0.5~1mm金剛石單晶的組裝方法

名稱間隔溫差法合成0.5~1mm金剛石單晶的組裝方法公開號1177520公開日1998.04.01主分類號B01J3/0

日期 2010-12-10   
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