名稱 | 大面積類金剛石碳膜低溫制備方法及裝置 | ||
公開號 | 1196401 | 公開日 | 1998.10.21 |
主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26 |
申請?zhí)?/strong> | 97103251.3 | ||
分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1997.04.17 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請人 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) | 地址 | 150001黑龍江省哈爾濱市西大直街92號 |
發(fā)明人 | 夏立芳; 孫明仁; 馬欣新; 孫躍 | 國際申請 | |
國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人 | 李依群 |
摘要 | 本發(fā)明提出一種材料表面大面積類金剛石碳膜低溫制備方法及裝置,具體說是在密閉的真空室內(nèi)充入含碳?xì)怏w,并對工件施加負(fù)高壓電脈沖,激發(fā)等離子體,在工件溫度不變的條件下,在其表面形成一層膜基間無界面的大面積類金剛石碳膜。其裝置為一個具有封閉磁場的真空室,室外設(shè)高壓脈沖電源及磁場,室內(nèi)設(shè)工件臺或支架及高電壓引入電極,以及油冷、水冷系統(tǒng)。采用本發(fā)明可以對成批工件,在其表面制取一層無界面的高結(jié)合力的類金剛石碳膜。 |