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官方微信摘要 名稱單晶硅上大面積(100)取向的金剛石膜的生長方法公開號1132267公開日1996.10.02主分類號C23C1
| 名稱 | 單晶硅上大面積(100)取向的金剛石膜的生長方法 | ||
| 公開號 | 1132267 | 公開日 | 1996.10.02 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26 |
| 申請?zhí)?/strong> | 95119376.7 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1995.12.12 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 吉林大學(xué) | 地址 | 130023吉林省長春市解放大路123號 |
| 發(fā)明人 | 顧長志; 金曾孫 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構(gòu) | 吉林大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人 | 王恩遠(yuǎn) |
| 摘要 | 在單晶硅上大面積（１００）取向金剛石膜的生長方法，是將單晶硅襯底在金剛石粉中研磨產(chǎn)生劃痕，以Ｈ#-[2]、ＣＨ#-[4]、ＣＯ為反應(yīng)氣體，采用微波制膜技術(shù)，控制系統(tǒng)壓力３０～４５ｔｏｒｒ范圍，嚴(yán)格控制襯底溫度在８７０～８９０℃范圍，并使襯底以０．２～１轉(zhuǎn)／分的轉(zhuǎn)速勻速轉(zhuǎn)動，可制備大面積均勻生長的（１００）取向的金剛石膜。本發(fā)明具有工藝簡單、設(shè)備少、對襯底的解理面要求寬松、生長速度快，生長面積大等特點，適于生產(chǎn)。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號