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優質金剛石單晶的生長技術　　

關鍵詞優質 , 金剛石單晶 , 生長技術　　 |2010-12-09 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱優質金剛石單晶的生長技術公開號1073616公開日1993.06.30主分類號B01J3/06&nbs

名稱	優質金剛石單晶的生長技術
公開號	1073616	公開日	1993.06.30
主分類號	B01J3/06	分類號	B01J3/06;C30B29/04
申請號	91107563.1
分案原申請號		申請日	1991.12.24
頒證日		優先權
申請人	中國科學院上海硅酸鹽研究所	地址	200050上海市長寧區長寧路865號
發明人	亓曾篤; 曹振駿; 周軍學; 陳光耀; 朱德渝; 陳文∴; 柴	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	中國科學院上海專利事務所	代理人	聶淑儀
摘要	本發明是一種優質金剛石的生長技術，它是以晶體生長理論為依據所創立的新技術，屬國內首創，未見國外報道。該技術在傳壓介質、試樣組裝等方面均不同于現在正在采用的技術。本發明在生長金剛石的超高壓高溫腔體中建立了適合金剛石生長的壓力場和溫度場，適合用于國內自己設計制造的六面頂超高壓高溫設備.

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