| 名稱 | 同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法 | ||
| 公開號 | 1057869 | 公開日 | 1992.01.15 |
| 主分類號 | C30B25/02 | 分類號 | C30B25/02;C30B25/20;C30B29/04 |
| 申請號 | 91104585.6 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1991.07.02 | |
| 頒證日 | 優先權 | [32]1990.7.2[33]US[31]547,651 | |
| 申請人 | 通用電氣公司 | 地址 | 美國紐約州 |
| 發明人 | 威廉·Ｆ·班霍爾澤; 托馬斯·Ｒ·安東尼; 丹尼斯·Ｍ | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 中國專利代理有限公司 | 代理人 | 王景朝; 楊麗琴 |
| 摘要 | 本發明涉及一種由同位素純的碳－１２和碳－１３所組成的單晶金剛石的制造方法。在本發明中，同位素純的單晶金剛石是直接由同位素純的碳－１２或碳－１３在一個單晶基體上形成的。 | ||
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