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官方微信摘要 名稱一種制備碳化硅顆粒增強二硅化鉬基復合材料的原位復合方法公開號1344810公開日2002.04.17主分類號C2
| 名稱 | 一種制備碳化硅顆粒增強二硅化鉬基復合材料的原位復合方法 | ||
| 公開號 | 1344810 | 公開日 | 2002.04.17 |
| 主分類號 | C22C1/04 | 分類號 | C22C1/04;C22C29/18 |
| 申請號 | 01141978.4 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2001.09.26 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 北京科技大學 | 地址 | 100083北京市海淀區學院路30號 |
| 發明人 | 孫祖慶;張來慶;楊王∴;張躍;傅曉偉 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 北京科大華誼專利代理事務所 | 代理人 | 楊玲莉 |
| 摘要 | 一種制備碳化硅顆粒增強二硅化鉬基復合材料的原位復合方法，主要通過控制原位復合工藝參數，消除Mo、Si和C三元素粉末之間的低溫固一固反應，而利用它們之間的固－液反應原位合成MoSi#-[2]－SiC復合粉末，并用二次熱壓致密該 MoSi#-[2]－SiC復合粉末，來制備界面潔凈、無SiO#-[2]玻璃相和Mo#-[5]Si#-[3]，Mo#-[≤5] Si#-[3]C#-[≤1]等其他過渡相、細小彌散SiC顆粒增強MoSi#-[2]兩相復合材料。使該復合材料在不降低 MoSi#-[2]抗高溫氧化性的前提下，最大限度地改善MoSi#-[2]－SiC復合材料的低溫和高溫力學性能，并且工藝易于控制、設備簡單。 | ||
豫公網安備41019702003646號