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官方微信摘要 名稱弧光放電化學氣相沉積金剛石薄膜的方法公開號1041187公開日1990.04.11主分類號C23C16/26&n
| 名稱 | 弧光放電化學氣相沉積金剛石薄膜的方法 | ||
| 公開號 | 1041187 | 公開日 | 1990.04.11 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26;C23C16/50 |
| 申請號 | 89107140.7 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1989.09.19 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 北京市科學技術研究院; 蘭州大學電子材料研究所 | 地址 | 北京市西外南路19號 |
| 發明人 | 蔣翔六; 張仿清 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 北京市專利事務所 | 代理人 | 郭佩蘭 |
| 摘要 | 一種弧光放電化學氣相沉積金剛石薄膜的方法，它采用甲烷與氫氣的混合氣體為直流弧光放電等離子體化學氣相沉積金剛石薄膜的反應源氣，甲烷在反應源氣中的濃度控制在０．５～２．０％之間，反應中還適當增大了反應源氣的流量，流量范圍為２０００～５０００標準立方厘米／分。用本發明提供的方法制備的金剛石薄膜的平均生長速率為４０～６０微米／小時（四小時的平均值），薄膜中的金剛石晶粒線度可達５０～６０微米，本方法與已有方法相比，沉積工藝易于控制，薄膜沉積的重復性較好。 | ||
豫公網安備41019702003646號