申請?zhí)枺?01610608062.X
　　申請人：天津大學(xué)
　　發(fā)明人：李志宏 王津松 朱玉梅

　　摘要：本發(fā)明公開了一種金剛石/陶瓷復(fù)合基板材料及其制備方法，其原料組分及質(zhì)量百分比含量為：金剛石粉末50～82％，陶瓷粉末18～50％，其中陶瓷粉末的原料組分及質(zhì)量百分比含量為：SiO245～65％，B2O318～32％，Al2O31～6％，Li2O2～12％，K2O2～8％，CaO3～8％，Y2O3或La2O31～10％。本發(fā)明在常壓下于720～780℃燒結(jié)制得，導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)9.1w/(m·k)，1MHz下的介電常數(shù)低至3.6，抗彎強(qiáng)度達(dá)100MPa，具有制備溫度低、工藝簡單、強(qiáng)度高、介電常數(shù)低等優(yōu)點(diǎn)，且熱膨脹系數(shù)與GaAs、Si等芯片材料匹配性好，滿足電子封裝基板材料的性能要求。

　　主權(quán)利要求：1.一種金剛石/陶瓷復(fù)合基板材料，其原料組分及質(zhì)量百分比含量為：金剛石粉末50～82％，陶瓷粉末18～50％；其中，陶瓷粉末的原料組分及質(zhì)量百分比含量為：SiO245～65％，B2O318～32％，Al2O31～6％，Li2O2～12％，K2O2～8％，CaO3～8％，Y2O3或La2O31～10％。上述金剛石/陶瓷復(fù)合基板材料的制備方法，具有如下實(shí)施步驟：(1)將SiO2、B2O3、Al2O3、Li2O、K2O、CaO、Y2O3或La2O3按照SiO245～65％，B2O318～32％，Al2O31～6％，Li2O2～12％，K2O2～8％，CaO3～8％，Y2O3或La2O31～10％的質(zhì)量計(jì)量比混合，然后采用剛玉磨球，干式球磨8h，過200目標(biāo)準(zhǔn)篩，制得混合粉末；(2)將步驟(1)制得的混合粉末置于熔塊爐于1400℃下熔煉4h，再經(jīng)過水淬，得到玻璃塊體，然后將制得的玻璃塊體干式球磨24h，過200目標(biāo)準(zhǔn)篩，得到陶瓷粉末；(3)將步驟(2)制得的陶瓷粉末與金剛石粉末按照金剛石粉末50～82％，陶瓷粉末18～50％的計(jì)量比混合，以乙醇為介質(zhì)，采用剛玉磨球，濕式球磨8h，過200目標(biāo)準(zhǔn)篩，得到基板混合料；(4)將步驟(3)得到基板混合料倒入模具內(nèi)，在160Mpa下冷壓成型為坯體；(5)將步驟(4)成型后的坯體置于馬弗爐中于720～780℃進(jìn)行燒結(jié)，保溫4～6h，制得金剛石/陶瓷復(fù)合基板材料。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石/陶瓷復(fù)合基板材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)的最佳燒結(jié)溫度為760℃。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石/陶瓷復(fù)合基板材料的制備方法，其特征在于，所述金剛石/陶瓷復(fù)合基板材料的導(dǎo)熱系數(shù)為9.1w/(m·k)，1MHz下的介電常數(shù)為3.6。