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官方微信摘要 名稱一種無氫摻硅類金剛石膜層及其制備方法申請號201210072931申請日2012年3月16日公告號102586735A
| 名稱 | 一種無氫摻硅類金剛石膜層及其制備方法 | ||
| 申請號 | 201210072931 | 申請日 | 2012年3月16日 |
| 公告號 | 102586735A | 公告日 | 2012年7月18日 |
| 代理機構 | 廣東世紀專利事務所( 44216 ) | 代理人 | 千知化 |
| 申請人 | 廣州有色金屬研究院 | 地址 | 廣東省廣州市天河區長興路363號 |
| 發明人 | 胡芳 代明江 林松盛 侯惠君 韋春貝 石倩 張賀勇 | 主分類號 | C23C 14/06 |
| 國家/省市 | 中國廣州( 81 ) | 分類號 | C23C 14/06 C23C 14/35 |
| 摘要 | 一種無氫摻硅類金剛石膜層。其特征是依次由基體（１）；金屬層（２）；金屬碳化物層（３）；摻硅類金剛石膜層（４）構成。制備方法是采用直流磁控濺射石墨靶、中頻磁控濺射碳化硅靶或硅靶以及離子源輔助沉積，依次氬離子清洗基體；沉積金屬層和金屬碳化物層；沉積無氫摻硅類金剛石膜層。與現有技術相比，本發明方法所制備的膜層具有摩擦系數和磨損率低、膜層質量好的特點。本發明膜層制備工藝簡單，重復性好，可制備出不同含硅量的無氫摻硅類金剛石膜層，能滿足濕度變化等特定環境下精密儀器傳動部件精度的要求，提高其使用的精度、靈敏度和可靠性，適用于超集成電路、醫用器械、光學元件、雷達、航空飛行器等。 | ||
| 獨立權利要求 | １．一種無氫摻硅類金剛石膜層，其特征是所述的無氫摻硅類金剛石膜層依次由基體（１）；金屬層（２）；金屬碳化物層（３）；摻硅類金剛石膜層（４）構成。 | ||
豫公網安備41019702003646號