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官方微信摘要 名稱碳化硅半導體結構上的層疊電介質公開號1336010公開日2002.02.13主分類號H01L29/51
| 名稱 | 碳化硅半導體結構上的層疊電介質 | ||
| 公開號 | 1336010 | 公開日 | 2002.02.13 |
| 主分類號 | H01L29/51 | 分類號 | H01L29/51;H01L21/28;H01L29/24 |
| 申請號 | 99811468.5 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1999.08.27 | |
| 頒證日 | 優先權 | 1998.8.28__US_09/141,795 | |
| 申請人 | 克里公司 | 地址 | 美國北卡羅萊納 |
| 發明人 | 勞里·A·里浦金;約翰·W·帕爾莫 | 國際申請 | PCT/US99/19775 1999.8.27 |
| 國際公布 | WO00/13236 英 2000.3.9 | 進入國家日期 | 2001.03.28 |
| 專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 王永剛 |
| 摘要 | 公開了一種用于碳化硅基半導體器件的電介質結構。在柵極器件中，該結構包括碳化硅層，位于碳化硅層上的二氧化硅層，位于二氧化硅層上的另一絕緣材料層，該絕緣材料具有的介電常數大于二氧化硅的介電常數，和與絕緣材料接觸的柵極接觸。在另一器件中，電介質結構形成增強的鈍化層或者場絕緣體。 | ||
豫公網安備41019702003646號