名稱 | 一種選域金剛石膜的制備方法 | ||
公開號 | 1364945 | 公開日 | 2002.08.21 |
主分類號 | C23C16/04 | 分類號 | C23C16/04;C23C16/27 |
申請?zhí)?/strong> | 01124619.7 | ||
分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2001.07.25 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請人 | 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所 | 地址 | 130022吉林省長春市人民大街140號 |
發(fā)明人 | 趙海峰;宋航;李志明;金億鑫;邴秀華 | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構(gòu) | 長春科宇專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 梁愛榮 |
摘要 | 本發(fā)明涉及制備金剛石薄膜的方法,在選域襯底的導(dǎo)電圖形上生成籽晶襯底實現(xiàn)金剛石膜精確定域沉積;對籽晶襯底繼續(xù)生長制備不同特性的金剛石膜。金剛石膜與襯底附著牢固;例如:制備金剛石場發(fā)射冷陰極,將電子發(fā)射區(qū)域有效地控制在所選擇區(qū)域,集中密集發(fā)射。特別是在微尖(臺)頂部預(yù)沉積籽晶并生長金剛石的冷陰極,可較好的利用場增強效應(yīng),避免發(fā)射點過于分散,有利于提高微尖處的電流 |