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均勻熱場陣列生長金剛石膜管的方法

關鍵詞陣列 , 金剛石 , 膜管|2010-12-21 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱均勻熱場陣列生長金剛石膜管的方法公開號1355331公開日2002.06.26主分類號C23C16/27&nbs

名稱	均勻熱場陣列生長金剛石膜管的方法
公開號	1355331	公開日	2002.06.26
主分類號	C23C16/27	分類號	C23C16/27;C30B25/00
申請號	00132598.1
分案原申請號		申請日	2000.11.30
頒證日		優先權
申請人	黑龍江省光電技術研究所	地址	157000黑龍江省牡丹江市光華街106－1號
發明人	申家鏡;邵春雷;魏雪峰	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構		代理人
摘要	均勻熱場陣列生長金剛石膜管的方法，其特征是它是在充有含碳氣體化合物等氣體的容器內，通過電熱絲架使電熱絲呈弧口相對的圓弧形豎立排列，且使多根膜管生長絲通過絲架豎直排列在弧口相對的兩電熱絲列之間。該方法一次制做操作流程可生產多根長短不一，內徑各異，管壁厚度均勻的金剛石膜管，可大大降低生產成本。

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