名稱 | 光子-熱絲化學氣相沉積生長大面積金剛石薄膜的方法 | ||
公開號 | 1355329 | 公開日 | 2002.06.26 |
主分類號 | C23C16/27 | 分類號 | C23C16/27;C23C16/48 |
申請號 | 00132595.7 | ||
分案原申請號 | 申請日 | 2000.11.30 | |
頒證日 | 優先權 | ||
申請人 | 黑龍江省光電技術研究所 | 地址 | 157000黑龍江省牡丹江市光華街106-1號 |
發明人 | 申家鏡;邵春雷;彭鴻雁;魏雪峰 | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構 | 代理人 | ||
摘要 | 本發明公開了一種光子-熱絲化學氣相沉積生長大面積金剛石薄膜的方法,其特征是在熱絲化學氣相沉積的工藝中,同時采用波長為 3.5μm的紅外光對生長襯底表面進行照射。本發明可提高原料氣體的分解率,從而提高金剛石膜的沉積速度,改善金剛石膜的質量 |