手機資訊
官方微信摘要 名稱利用熱燈絲直流等離子體進行金剛石成核和沉積的設備及方法公開號1261927公開日2000.08.02主分類號C2
| 名稱 | 利用熱燈絲直流等離子體進行金剛石成核和沉積的設備及方法 | ||
| 公開號 | 1261927 | 公開日 | 2000.08.02 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26;H01J37/32 |
| 申請號 | 98806931.8 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1998.07.07 | |
| 頒證日 | 優先權 | [32]1997.7.7[33]US[31]08/888，830 | |
| 申請人 | CVD金剛石公司 | 地址 | 加拿大安大略省 |
| 發明人 | 孫碧武; 劉煥明 | 國際申請 | PCT.CA98/00645 1998.7.7 |
| 國際公布 | WO99.2753 英 1999.1.21 | 進入國家日期 | 2000.01.05 |
| 專利代理機構 | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 摘要 | 利用熱燈絲DC等離子體沉積使金剛石成核和生長的方法和設備。該設備采用電阻式加熱的燈絲組離解反應物氣體中的氫。對于二面的金剛石生長，使用基底－熱燈絲－柵極－熱燈絲－基底的結構，或基底－熱燈絲－熱燈絲－基底的結構。對于后一種結構，用兩個獨立的燈絲組作為熱燈絲和柵極，并保持燈絲組之間的AC或DC等離子體。對于這種和其他電極結構，對柵電極施加相對于熱燈絲的正偏壓，以保持等離體。等離子體的電位梯度跨越柵極，熱燈絲將從等子體中抽取的離子超向燈絲。為進一步提高沉積速度，對燈絲組施加相對于基底夾持器的負偏壓，使得在基底和燈絲組之間的DC等離子體也得以保持。在成核期間，對與基底夾持器相鄰的燈絲施加相對于基底的正偏壓，使得離子被加速朝向基底，接著，又提高了生長前體流向基底，導致在基底上產生高的金剛石成核密度，而不需要涂擦或接種金剛石的預處理。這種成核方法簡化了生長過程，并提供了一種在單晶基底，如Si（100）上，既方便又經濟地進行金剛石晶核異相外延生長的方法。 | ||
豫公網安備41019702003646號