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熱陰極輝光等離子體化學相沉積制備金剛石膜的工藝

關鍵詞 等離子體 , 化學相沉積 , 金剛石膜|2010-12-10 00:00:00|行業專利|來源 中國超硬材料網
摘要 名稱熱陰極輝光等離子體化學相沉積制備金剛石膜的工藝公開號1107900公開日1995.09.06主分類號C23C16

 

名稱 熱陰極輝光等離子體化學相沉積制備金剛石膜的工藝 
公開號 1107900  公開日 1995.09.06   
主分類號 C23C16/26  分類號 C23C16/26 
申請號 94116283.4   
分案原申請號   申請日 1994.09.24   
頒證日   優先權  
申請人 吉林大學    地址 130023吉林省長春市解放大路123號  
發明人 金曾孫; 呂憲義; 姜志剛; 鄒廣田    國際申請  
國際公布   進入國家日期  
專利代理機構 吉林大學專利事務所  代理人 王恩遠   
摘要   本發明的熱陰極輝光PCVD制備金剛石膜的工藝屬于一種制膜技術。工藝過程是 :將清洗好的基片置于真空罩(室)內的陽極底座上,抽真空后,充入原料氣體,在兩極間加直流電壓產生輝光,并保持陰極的溫度在500℃以上。本工藝的陰極材料采用電子脫出功小、熔點高的金屬制成,例如:Ta、Mo、W等。這種工藝的工作氣壓范圍寬,輝光穩定,碳氫化合物的濃度較高,從而使金剛石膜的質量好,生長速率高,面積易于擴大,可制備出大面積厚膜,工藝條件也易于控制。      
 

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