名稱 | 熱陰極輝光等離子體化學相沉積制備金剛石膜的工藝 | ||
公開號 | 1107900 | 公開日 | 1995.09.06 |
主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26 |
申請號 | 94116283.4 | ||
分案原申請號 | 申請日 | 1994.09.24 | |
頒證日 | 優先權 | ||
申請人 | 吉林大學 | 地址 | 130023吉林省長春市解放大路123號 |
發明人 | 金曾孫; 呂憲義; 姜志剛; 鄒廣田 | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構 | 吉林大學專利事務所 | 代理人 | 王恩遠 |
摘要 | 本發明的熱陰極輝光PCVD制備金剛石膜的工藝屬于一種制膜技術。工藝過程是 :將清洗好的基片置于真空罩(室)內的陽極底座上,抽真空后,充入原料氣體,在兩極間加直流電壓產生輝光,并保持陰極的溫度在500℃以上。本工藝的陰極材料采用電子脫出功小、熔點高的金屬制成,例如:Ta、Mo、W等。這種工藝的工作氣壓范圍寬,輝光穩定,碳氫化合物的濃度較高,從而使金剛石膜的質量好,生長速率高,面積易于擴大,可制備出大面積厚膜,工藝條件也易于控制。 |