| 名稱 | 金剛石單晶薄膜的制造方法 | ||
| 公開號 | 1096548 | 公開日 | 1994.12.21 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26;C23C16/56 |
| 申請號 | 93112459.X | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1993.06.17 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 上海交通大學 | 地址 | 200030上海市華山路1954號 |
| 發明人 | 張志明; 李勝華; 蔡琪玉; 閔乃本 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 上海交通大學專利事務所 | 代理人 | 羅蔭培 |
| 摘要 | 金剛石單晶薄膜的制造方法，它屬于一種用于半導體材料與器件的金剛石單晶薄膜制造方法。在以氫氣和丙酮為反應氣體，用微波等離子體ＣＶＤ或熱絲ＣＶＤ在＜１１１＞取向的金剛石襯底上進行同質外延過程中，采用在反應氣體中添加適量氧氣和惰性氣體，同時對襯底進行研磨處理的工藝，結果能得到平整光滑的，結晶完整性好的＜１１１＞取向同質外延金剛石單晶薄膜。 | ||
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