名稱 | 金剛石膜的選擇性氣相生長 | ||
公開號 | 1045815 | 公開日 | 1990.10.03 |
主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26;C23C16/04;H01L21/31 |
申請號 | 89107565.8 | ||
分案原申請號 | 申請日 | 1989.09.29 | |
頒證日 | 優先權 | ||
申請人 | 吉林大學 | 地址 | 吉林省長春市朝陽區解放大路83號 |
發明人 | 鄒廣田 | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構 | 吉林大學專利事務所 | 代理人 | 王恩遠 |
摘要 | 本發明屬一種在半導體襯底表面選擇性生長金剛石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金剛石成核密度具有很大差異這一性質,實現了金剛石膜的選擇性生長。主要工藝過程為研磨,生長隔離膜,光刻,制備金剛石膜,化學腐蝕等,所制備的金剛石膜具有質量高,選擇性生長好,不破壞襯底等優點,而且制備參數易于控制,工藝簡單,成品率高。本方法制備的金剛石膜可應用于大規模集成電路,微波器件,光電器件等半導體器件的制備。 |