名稱 | 一種亞微米級碳化硅的生產方法 | ||
公開號 | 1344675 | 公開日 | 2002.04.17 |
主分類號 | C01B31/36 | 分類號 | C01B31/36;B24D3/34;C09K3/14;C08J5/14 |
申請號 | 01124696.0 | ||
分案原申請號 | 申請日 | 2001.08.07 | |
頒證日 | 優先權 | ||
申請人 | 寧夏回族自治區新技術應用研究所 | 地址 | 750021寧夏回族自治區銀川市新市區朔方路9號 |
發明人 | 祁利民;吳瀾爾;劉雅琴;馬麗娟;楊政紅;馬泉山;王富洲;? | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構 | 寧夏專利服務中心 | 代理人 | 葉學軍 |
摘要 | 本發明涉及一種亞微米級碳化硅的生產方法,包括在碳化硅研磨介質存在的條件下,將粒度為100-1500目的碳化硅稀料漿研磨60~90小時,其特點是在碳化硅稀漿料中添加分散劑,并將碳化硅研磨介質按其粒徑的大、中、小配比加入,本發明具有設備投資小,生產工藝簡單,質量容易控制等優點,它只進行一次粉碎加工就能達到使85-99%的碳化硅粉體粒徑小于1微米。 |