手機資訊
官方微信摘要 名稱耐火物質、尤其是碳和碳化硅的化學氣相滲填方法公開號1244186公開日2000.02.09主分類號C04B35/
| 名稱 | 耐火物質、尤其是碳和碳化硅的化學氣相滲填方法 | ||
| 公開號 | 1244186 | 公開日 | 2000.02.09 |
| 主分類號 | C04B35/80 | 分類號 | C04B35/80 |
| 申請?zhí)?/strong> | 97181257.8 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1997.11.07 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | [32]1996.11.8[33]DE[31]19646094.8 | |
| 申請人 | 辛泰克陶瓷有限兩合公司 | 地址 | 聯(lián)邦德國布興 |
| 發(fā)明人 | K·J·于蒂格; W·本青格爾 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 上海專利商標事務所 | 代理人 | 白益華 |
| 摘要 | 揭示了一種耐火物質的化學氣相滲填（CVI）方法，尤其是等溫等壓的CVI方法，尤其是碳（C）和碳化硅（SiC）的CVI方法，所述方法基于在多孔結構內的擴散，其中在給定的反應區(qū)內溫度下，設定氣體壓力或氣體中所含離析氣體的分壓、以及氣體在反應區(qū)內的停留時間，以使得在用來形成固相的氣相和揮發(fā)性化合物產生飽和吸附的壓力或分壓區(qū)域內在多孔結構中發(fā)生離析反應．飽和吸附指升高氣體壓力或離析氣體分壓時離析速度保持基本恒定，限制離析氣體的反應以使得當離析氣體流經(jīng)反應區(qū)時，離析氣體所提供的用來形成固相的組分中不超過50 ％作為固相離析到多孔結構中。使氣流穿過寬度基本相同、為1—50毫米的狹縫從底部到頂部直線型流經(jīng)多孔結構。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號