| 名稱 | 回旋電子增強熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法 | ||
| 公開號 | 1355330 | 公開日 | 2002.06.26 |
| 主分類號 | C23C16/27 | 分類號 | C23C16/27;C23C16/48 |
| 申請號 | 00132597.3 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2000.11.30 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 黑龍江省光電技術研究所 | 地址 | 157000黑龍江省牡丹江市光華街106－1號 |
| 發明人 | 申家鏡;申輝;邵春雷;張傳勝;魏雪峰 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 代理人 | ||
| 摘要 | 回旋電子增強熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法，其特征是在生長襯底的下部設置能產生可使電子作螺旋曲線運動的環形磁場的線圈。本發明可增加金剛石膜的生長速度，提高金剛石膜的質量 | ||
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