近年來，全球半導體產業競爭日益激烈，尤其是圍繞寬帶隙和超寬帶隙半導體的技術創新，已經成為各國科技戰略的關鍵焦點。此前我國對關鍵材料進行出口管制讓很多國家開始調整戰略。

       據Tom's hardware報道，由于中國在寬帶隙半導體材料—氮化鎵（GaN）供應方面的優勢地位，近期又采取了出口管制措施，美國國防部高級研究計劃局（DARPA）已采取行動，委托雷神（Raytheon）公司開發基于人造金剛石和氮化鋁（AlN）的超寬帶隙半導體，以確保美國的軍事裝備生產。

       Raytheon的目標是引領這些材料發展到針對當前和下一代雷達和通信系統優化的設備中，例如射頻開關、限幅器和功率放大器，以增強其功能和范圍。這包括在協同傳感、電子戰、定向能以及集成到高超音速等高速武器系統中的應用。

       人造金剛石憑借5.5eV的超寬帶隙，其高頻性能、高電子遷移率、極端熱管理能力和更高功率處理能力均超越了氮化鎵，成為潛在的理想替代材料。而氮化鋁的帶隙更是高達6.2eV，進一步提升了其在高功率、高頻應用中的優勢。

       根據DARPA的合同要求，雷神公司的先進技術團隊將分階段推進這一項目。在第一階段，團隊將專注于開發基于金剛石和氮化鋁的半導體薄膜，為后續的應用打下堅實基礎。第二階段則將致力于研發和改進金剛石和氮化鋁技術，以支持更大直徑的晶圓生產，特別是針對傳感器應用的需求。這兩個階段的工作必須在三年內完成，凸顯了項目的緊迫性和重要性。

       Raytheon 先進技術總裁Colin Whelan說：“Raytheon 在為國防部系統開發類似材料（如砷化鎵和氮化鎵）方面擁有豐富的成熟經驗。通過將這一開創性的歷史和我們在先進微電子方面的專業知識相結合，我們將努力使這些材料成熟起來，將再次徹底改變半導體技術，迎接未來的應用。”