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鄭州華晶金剛石股份有限公司

金剛石功率半導(dǎo)體,電力損失為硅的5萬分之1,期待用于人造衛(wèi)星

關(guān)鍵詞 金剛石|2023-04-24 10:18:35|來源 JST客觀日本編輯部
摘要 用被稱為“終極功率半導(dǎo)體”的金剛石開發(fā)電力控制用半導(dǎo)體的研究正在推進之中。與新一代功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)相比,金剛石對高電壓的耐久性等更加優(yōu)異,電力損失能減少...

       用被稱為“終極功率半導(dǎo)體”的金剛石開發(fā)電力控制用半導(dǎo)體的研究正在推進之中。與新一代功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)相比,金剛石對高電壓的耐久性等更加優(yōu)異,電力損失能減少到硅產(chǎn)品的五萬分之一。其耐熱及耐放射線的性能也很強,有望在2050年左右成為人造衛(wèi)星等設(shè)備中不可缺少的部件。

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       金剛石制半導(dǎo)體具備優(yōu)異的高電壓耐久性及耐熱性

       金剛石金剛石的魅力在于其卓越的潛在能力。金剛石制半導(dǎo)體即使在硅制功率半導(dǎo)體約30倍的高電壓下也不會被破壞,可以繼續(xù)工作,散熱性能為硅的10倍以上。理論上通過金剛石可實現(xiàn)功率效率比硅高5萬倍的功率半導(dǎo)體器件。

       但金剛石的難點在于作為電子材料難以處理加工。金剛石是所有材料中最堅硬的,由于無法用比金剛石更硬的材料進行加工,因此難以進行將基板表面加工至原子等級平坦度的精密加工。并且,混合磷和硼等材料,使其具有半導(dǎo)體性質(zhì)的摻雜技術(shù)也沒有確立。

       挑戰(zhàn)上述課題的是佐賀大學(xué)的嘉數(shù)誠教授。嘉數(shù)教授于2022年與精密零件制造商Orbray(東京·足立區(qū))共同開發(fā)了金剛石制功率半導(dǎo)體,以875MW/cm2(M為100萬)的電力使其工作。這是金剛石半導(dǎo)體中全球最高的輸出功率,在半導(dǎo)體領(lǐng)域僅次于GaN的約2090MW/cm2的輸出值。

       為了使金剛石器件具有半導(dǎo)體性質(zhì),研究團隊采用了在金剛石基板上噴射二氧化氮氣體的方法。通過氧化鋁膜的保護,實現(xiàn)了高性能的半導(dǎo)體器件。研究團隊還通過特殊的研磨方法使基板表面平整,在減少電阻方面也下了不少功夫。

       嘉數(shù)教授指出,雖然開發(fā)時使用了昂貴的人造金剛石,但“制作金剛石的成本伴隨著技術(shù)的進步有可能大幅降低”。金剛石雖然在大家的印象中比較昂貴,但其構(gòu)成元素與煤和石墨一樣同為碳素,在地球上資源豐富。制造工序中也沒有使用高價的氣體等。

       金剛石制半導(dǎo)體備受期待的用途是人造衛(wèi)星通信設(shè)備。現(xiàn)有的半導(dǎo)體受放射線影響,容易發(fā)生被稱為軟誤差的故障或劣化,因此衛(wèi)星通信設(shè)備中使用的是真空管。

       如果將半導(dǎo)體換成耐放射線的金剛石制半導(dǎo)體,則能在宇宙中有效使用供給受限的電力。在埃隆·馬斯克率領(lǐng)的美國SpaceX衛(wèi)星通信服務(wù)“星鏈”及宇宙數(shù)據(jù)中心等衛(wèi)星通信方面的需求預(yù)計會擴大。另外,在地球上,金剛石制半導(dǎo)體也有可能成為支持下一代通信規(guī)格“6G”及量子計算機的技術(shù)。

       嘉數(shù)教授表示“今后會將研究重心轉(zhuǎn)移到應(yīng)用上,希望5年內(nèi)提供試制品”。目前,早稻田大學(xué)的創(chuàng)新公司Power Diamond Systems(東京·新宿區(qū))開始著手金剛石制半導(dǎo)體的開發(fā)。通過將研究主體從大學(xué)逐步轉(zhuǎn)為企業(yè),有望在2040年左右實現(xiàn)金剛石制半導(dǎo)體的實際應(yīng)用。
       大口徑化不可缺少

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       嘉數(shù)教授等人之所以能夠?qū)崿F(xiàn)高性能的金剛石制半導(dǎo)體,其主要背景在于金剛石基板(晶圓)實現(xiàn)了2英寸(約50mm)的大口徑化。晶片由Orbray公司制作。雖然以往的晶片基板上也會使用金剛石,但本次確立了易于大口徑化的應(yīng)用藍(lán)寶石的技術(shù)。
盡管如此,與300mm硅晶圓及150~200mm SiC晶圓相比,金剛石半導(dǎo)體在晶圓的大口徑方面還落后于其他材料。因此器件的批量生產(chǎn)需要進一步技術(shù)創(chuàng)新,以實現(xiàn)晶圓的大口徑化及低成本化。
金剛石在耐壓和耐熱性等性能方面優(yōu)于SiC和GaN,甚至還優(yōu)于被視為“下一代SiC”的氧化鎵得潛在能力。理論上講,金剛石的功耗是SiC的八十分之一,GaN的十分之一或更少。

       與由SiC、GaN等多種元素構(gòu)成的半導(dǎo)體不同,金剛石由單一元素構(gòu)成,因此不用在意元素混合比例這一點也是其優(yōu)勢,就可以集中精力提高基板結(jié)晶的純度等。

       半導(dǎo)體是涉及材料、設(shè)備及系統(tǒng)廠家的大產(chǎn)業(yè)。構(gòu)建金剛石制半導(dǎo)體的供應(yīng)鏈也將成為重要的課題。

 

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