近日，中國科學院合肥物質科學研究院固體物理研究所計算物理與量子材料研究部王賢龍課題組在穩定高壓合成金剛石烯研究中取得新進展。研究表明，B和N摻雜可調控其電子結構性質（半導體、金屬、超導），可降低形成能，增強金剛石烯在常溫常壓下的穩定性。相關研究成果發表在Physical Review B上。　　

       金剛石烯是由雙層石墨烯層間形成sp3鍵構成的二維單層金剛石，兼具石墨烯和金剛石的特性，有望發展成為與石墨烯并列的一類新型二維碳材料，用于電子器件的超薄保護涂層，在納米光電器件方面具有潛在的應用價值。目前，實驗上通過在高壓下壓縮雙層石墨烯合成的金剛石烯，在撤壓后均轉變回石墨烯，較難在常溫常壓下穩定存在。 　　

       科研人員基于第一性原理方法探究了立方和六方金剛石烯不同摻雜形式的結構和性質。結果發現，摻雜能夠降低金剛石烯的形成能，促進金剛石烯的合成并提升其在常溫常壓環境下的穩定性。基于此，研究人員提出通過壓縮一層摻雜B原子另一層摻雜N原子的雙層石墨烯獲得的金剛石烯最穩定。通過壓縮N摻雜雙層石墨烯來合成金剛石烯在實驗上最易實現，這是由于此時的形成能不依賴摻雜原子的分布形式。此外，摻雜原子在不同的替代位會呈現出不同的電子結構（半導體、金屬、超導～4 K），可應用于二維電子器件領域。該工作為合成更穩定、功能更強的金剛石烯提供了新途徑。 　　

       研究工作得到國家自然科學基金的支持。本工作的所有計算在中科院超算中心合肥分中心完成。 

論文鏈接 ：https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.105.174106