6月10日至14日，由西安交通大學主辦的“單晶金剛石及其電子器件國際研討會”在西安交通大學南洋大酒店隆重召開,來自不同國家和地區的一百三十余位專家學者參加了此次國際研討會。國家“千人計劃”特聘專家王宏興教授擔任大會執行主席。
　　此次會議旨在為單晶金剛石及相關材料和器件等相關領域的專家、學者、技術人員及企業家等提供學術交流平臺，加強國內外同行業之間的相互了解和合作，共同促進國際單晶金剛石材料及其電子器件行業及相關行業的蓬勃發展。通過與國內外各相關領域專家學者的交流，借此了解新型超寬禁帶半導體——單晶金剛石及其電子器件研究領域的最新進展，為發展新的實驗方法、理論并凝煉關鍵科學問題提供依據，全面推動以寬禁帶半導體材料為基礎的跨學科、跨領域的深入實質性的合作，促進我國單晶金剛石半導體材料及其電子器件研究平臺的建設，并通過共同努力，拓展該類先進電子材料與器件的應用與成果轉化。 　　超寬禁帶半導體——單晶金剛石集電學、光學、力學、聲學和熱學等優異特性于一體，在高溫、高效、超大功率毫米波電子器件，電力電子器件，生物傳感器，光電探測與成像，粒子探測與成像，航空航天等系統方面有著極其重要的應用前景，被業界譽為“終極半導體”。金剛石電子器件相比其他半導體器件還具有體積小、集成度高和無需制冷的優勢。在節能減排、打造綠色地球方面將發揮其獨特的優勢，將引發新一代半導體技術的革命。
　　大會開幕式由王宏興教授主持，早稻田大學川原田洋教授致辭，共同期望此次大會圓滿召開，促進國際單晶金剛石及其電子器件領域的產學研合作交流，并為我國相關產業的發展提供良好的契機。 　　此次大會由國內外50余位金剛石及相關材料與器件領域的專家做了大會報告和相關學術報告。早稻田大學川原田洋教授、日本NIMS小出康夫教授、北京大學沈波教授、以色列理工大學Alon Hoffman教授分別報道了各自團隊的最新研究進展；德島大學敖金平教授、西北工業大學樊慧慶教授、清華大學王燕教授、浙江工業大學胡曉君教授、濟南大學楊萍教授等分別報道了國內單晶金剛石研究的最新研究進展。我校寬禁帶半導體材料與器件中心主任王宏興教授介紹了我校在單晶金剛石快速生長、電子器件級單晶金剛石外延生長、金剛石基日盲紫外探測和金剛石基功率電子器件方面的最新研究進展，獲得與會代表的高度評價。