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官方微信摘要 名稱人造金剛石薄膜快速生長的方法公開號1106470公開日1995.08.09主分類號C23C16/26
| 名稱 | 人造金剛石薄膜快速生長的方法 | ||
| 公開號 | 1106470 | 公開日 | 1995.08.09 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26;C23C16/50 |
| 申請號 | 94105416.0 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1994.07.15 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 鄭魯生; 馬元震; 朱紀伍 | 地址 | 250014山東省濟南市55169部隊一號信箱 |
| 發明人 | 鄭魯生; 馬元震; 朱紀伍 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 代理人 | ||
| 摘要 | 本發明涉及一種人造金剛石薄膜快速生長技術，系將金屬材料鉬、鈦工件用金剛石微粉打磨其表面，然后在其上涂覆有催化劑與金剛石微粉混合在一起的涂覆料，將其放入微波等離子體合成金剛石薄膜機的真空反應區內，抽真空至真空度達Ｐａ#+[－１]后，先充入氫氣，再通入甲烷氣或碳氫化物，打開微波電源微波放電，在反應室內發生電離，碳氫化物或甲烷氣分解，１小時后放入反應室的工件表面，熱沉上１．５ｍｍ厚的人造金剛石薄膜。 | ||
豫公網安備41019702003646號