名稱 | 具有很高熱導率的單晶金剛石 | ||
公開號 | 1052340 | 公開日 | 1991.06.19 |
主分類號 | C30B29/04 | 分類號 | C30B29/04;C01B31/06;B01J3/06 |
申請號 | 90109930.9 | ||
分案原申請號 | 申請日 | 1990.12.11 | |
頒證日 | 優先權 | 32]1989.12.11[33]US[31]448,469;[32]1990.6.11[33]US | |
申請人 | 通用電氣公司 | 地址 | 美國紐約州 |
發明人 | 托馬斯·理查德·安東尼; 威廉·弗蘭克·班霍爾策; 詹 | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構 | 中國專利代理有限公司 | 代理人 | 孟八一; 劉元金 |
摘要 | 已發現由同位素純碳-12或碳-13組成的單晶金剛石具有的熱導率高于以往知道的任何物質的熱導率,一般至少比天然ⅡA型金剛石高40%。這種金剛石可通過以下方法制備,包括把高同位素純度的金剛石磨碎,被磨堆的金剛石是用同位素純的烴與氫混合并進行低壓化學氣相沉積而獲得的,接著再把這種磨碎的金剛石在高壓條件下轉變成單晶金剛石。 |