申請人:哈爾濱工業大學
發明人:白清順 王永旭 趙航 余天凱 杜云龍 張慶春
摘要: 一種用于化學氣相沉積金剛石薄膜的緊湊型真空反應裝置。屬于金剛石薄膜的化學氣相沉積技術領域。為了解決真空條件下CVD金剛石薄膜在微刀具上的沉積問題。殼體上下端分別與上蓋和底座可拆卸密封連接構成反應室,真空計固定在上蓋上,真空計的檢測端緊密穿入上蓋設置在殼體內,上蓋上固定有與殼體內腔相通的管路,針閥固定在上蓋的管路上,針閥與管路相通,上蓋的觀察孔一處固定有觀察窗一,上蓋上設有多個冷水環槽,殼體的側壁上的兩個觀察孔二處各固定有一個觀察窗二,電磁閥固定在底座的進氣孔處,導氣管一端連接于進氣箱,另一端與反應室相通,導氣管上安裝有導氣閥門,載物臺設置在反應室內并固定在底座上。本發明主要用于對沉積件微刀具表面金剛石薄膜沉積。

2.根據權利要求1所述的一種用于化學氣相沉積金剛石薄膜的緊湊型真空反應裝置,其特征在于:所述的上蓋(3)由焊接上蓋(3-1)和冷水槽上蓋(3-2)組成,所述的焊接上蓋(3-1)和冷水槽上蓋(3-2)均為圓盤形狀,焊接上蓋(3-1)的外徑小于冷水槽上蓋(3-2)的外徑,所述的冷水槽上蓋(3-2)的上表面加工有多個與冷水槽上蓋(3-2)同心的所述的冷水環槽(3-3),每個冷水環槽(3-3)的里側壁上均設置有豁口一,每相鄰兩個冷水環槽(3-3)的豁口一相隔180°設置,冷水槽上蓋(3-2)的上表面設置有水槽隔墻一(3-5),所述的水槽隔墻一(3-5)沿冷水槽上蓋(3-2)的徑向設置并將每個冷水環槽(3-3)一分為二,且水槽隔墻一(3-5)穿過多個冷水環槽(3-3)的豁口一中部并將每個豁口一分隔成兩個進出水口3-6。
3.根據權利要求2所述的一種用于化學氣相沉積金剛石薄膜的緊湊型真空反應裝置,其特征在于:所述的冷水槽上蓋(3-2)上表面靠近外邊緣處設置有環形限位槽一(3-7),所述的焊接上蓋(3-1)下表面的外周邊緣處設置有凸環一(3-4),焊接上蓋(3-1)的凸環一(3-4)設置在冷水槽上蓋(3-2)的環形限位槽一(3-7)內,且焊接上蓋(3-1)的凸環一(3-4)內側面與冷水槽上蓋(3-2)的環形限位槽一(3-7)內側槽面相配合,冷水槽上蓋(3-2)的環形限位槽一(3-7)的槽寬大于焊接上蓋(3-1)的凸環一(3-4)的厚度,冷水槽上蓋(3-2)的環形限位槽一(3-7)的深度大于焊接上蓋(3-1)的凸環一(3-4)的高度,冷水槽上蓋(3-2)與焊接上蓋(3-1)焊接;焊接上蓋(3-1)和冷水槽上蓋(3-2)上開設有同軸的所述的觀察孔一,所述的觀察窗一(5-1)設置在焊接上蓋(3-1)上表面并位于觀察孔一處,觀察窗一(5-1)固定在焊接上蓋(3-1)上表面;焊接上蓋(3-1)和冷水槽上蓋(3-2)上分別開設有同軸的所述的通孔和所述的導氣孔一。
4.根據權利要求1所述的一種用于化學氣相沉積金剛石薄膜的緊湊型真空反應裝置,其特征在于:所述的殼體(4)由焊接殼體(4-1)和冷水槽殼體(4-2)組成,所述的焊接殼體(4-1)和冷水槽殼體(4-2)均為圓筒形狀,所述的冷水槽殼體(4-2)緊密套裝在焊接殼體(4-1)外側且二者焊接,所述的冷水槽殼體(4-2)的內壁上加工有多個同軸的圓環形冷水槽(4-3),冷水槽殼體(4-2)的側壁上設置有進水孔(4-4)和出水孔(4-5),所述的進水孔(4-4)設置在多個圓環形冷水槽(4-3)中位于最底部的圓環形冷水槽(4-3)的槽底面上,所述的出水孔(4-5)設置在多個圓環形冷水槽(4-3)中位于最頂部的圓環形冷水槽(4-3)的槽底面上,每相鄰兩個圓環形冷水槽(4-3)共用的側壁上均加工有一個豁口二,冷水槽殼體(4-2)的內壁上豎直設置有一個水槽隔墻二(4-6),所述的水槽隔墻二(4-6)穿過所有的豁口二設置,且水槽隔墻二(4-6)與每個豁口二之間形成一個水槽出水口(4-7),每相鄰兩個圓環形冷水槽(4-3)的兩個水槽出水口(4-7)錯位設置。
5.根據權利要求1所述的一種用于化學氣相沉積金剛石薄膜的緊湊型真空反應裝置,其特征在于:所述的殼體(4)的上端和下端分別設置有外沿(4-8),上蓋(3)和底座(6)與殼體(4)之間的連接分別采用多個螺釘在圓周方向上均布的形式排列固定,將上蓋(3)和底座(6)與殼體(4)連接成一個封閉整體。
6.根據權利要求5所述的一種用于化學氣相沉積金剛石薄膜的緊湊型真空反應裝置,其特征在于:所述的殼體(4)的上端外沿(4-8)的上表面和下端外沿(4-8)的下表面分別設置有環形密封槽,每個所述的環形密封槽內均設置有聚四氟乙烯密封圈(10),殼體(4)與上蓋(3)和底座(6)分別通過聚四氟乙烯密封圈(10)密封。
7.根據權利要求6所述的一種用于化學氣相沉積金剛石薄膜的緊湊型真空反應裝置,其特征在于:所述的殼體(4)下端設置有凸環二(4-9),所述的底座(6)上表面設置有環形限位槽二,所述的殼體(44)的凸環二(4-9)設置在底座(6)的環形限位槽二內,且殼體(44)的凸環二(4-9)外側面與底座(6)上表面設置有環形限位槽二的外側槽面相配合,底座(6)的環形限位槽二的槽寬大于殼體(4)的凸環二(4-9)的厚度,底座(6)的環形限位槽二的深度大于殼體(4)的凸環二(4-9)的高度。
8.根據權利要求1所述的一種用于化學氣相沉積金剛石薄膜的緊湊型真空反應裝置,其特征在于:所述的殼體(4)采用304不銹鋼制成。