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官方微信摘要 名稱一種納米碳化硅材料的制備方法公開號1327944公開日2001.12.26主分類號C01B31/36
| 名稱 | 一種納米碳化硅材料的制備方法 | ||
| 公開號 | 1327944 | 公開日 | 2001.12.26 |
| 主分類號 | C01B31/36 | 分類號 | C01B31/36 |
| 申請?zhí)?/strong> | 01127650.9 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 2001.07.25 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 中山大學(xué) | 地址 | 510275廣東省廣州市新港西路135號 |
| 發(fā)明人 | 許寧生;吳志盛;鄧少芝;周軍 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 廣州市專利事務(wù)所 | 代理人 | 華輝 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種納米碳化硅材料的制備方法。本方法以商用納米量級、微米量級或塊狀等不同形狀和大小的SiC原料為原材料，加上催化劑，預(yù)先抽真空，然后通入惰性氣體作為保護(hù)氣氛，最后加熱至1300～2000℃并保溫一段時(shí)間，制備得到的具有碳化硅納米棒或納米線的納米材料，有助于相關(guān)碳化硅光電器件，特別是納米光電器件和場發(fā)射陰極電子源的研制。本方法工藝簡單，原材料成本低，產(chǎn)率高。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號