據西安交大官網，近日,西安交通大學王宏興教授團隊經過十年不懈努力，成功實現了2英寸異質外延單晶金剛石自支撐襯底的量產，這是金剛石電子器件領域的一大突破。

       金剛石半導體，被譽為第三代半導體材料的佼佼者，因其超寬禁帶、高擊穿場強、高載流子飽和漂移速度和高熱導率等特性，在電子器件領域具有巨大的應用潛力。然而，大尺寸、高質量的單晶金剛石襯底制備一直是困擾全球科研人員的技術難題。

王宏興教授（右三）與團隊成員在討論研發中的問題

       王宏興教授團隊采用自主研發的微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）技術，通過精準調控成膜均勻性、溫場及流場，成功實現了2英寸異質外延單晶金剛石自支撐襯底的批量化生產。這種襯底表面具有臺階流生長模式，能夠顯著降低缺陷密度，提高晶體質量。其XRD測試結果顯示，各項指標已經優于國外最好水平，達到世界領先地位。

異質外延金剛石光學顯微鏡照片（a）放大100倍（b）放大500倍

XRD測試結果（a）（004）面搖擺曲線；（b）（311）面搖擺曲線；（c）（311）面四重對稱；（d）極圖

       這一重要成果不僅打破了國外技術封鎖，也推動了金剛石電子器件在我國的實用化發展。目前，王宏興團隊生產的單晶金剛石器件已經廣泛應用于5G通訊、高頻大功率探測裝置等領域。王宏興教授表示，這一突破的實現，離不開團隊十年如一日的潛心研發，也離不開與國內相關大型通信公司、中國電子科技集團等機構的緊密合作。未來，團隊將繼續深入研究，推動金剛石半導體材料與器件在更多領域的應用，為我國的科技進步做出更大貢獻。

       十年磨劍，王宏興教授團隊用他們的智慧和汗水，實現了2英寸單晶金剛石電子器件的量產，為我國在金剛石半導體領域的發展奠定了堅實基礎。這一重大突破，不僅彰顯了我國科研人員的創新能力和技術水平，也為我國的科技事業注入了新的活力。