5月26日，綜合多家日媒消息——日本經濟產業大臣西村和美國商務部長萊蒙德在當地時間本月26日于美國底特律舉行會談，預計將在會談結束后就日美將圍繞芯片、尖端技術進行合作的聯合聲明。據悉，基于該聲明，兩國將在圍繞芯片、尖端關鍵技術等方面展開合作。其中包含了圍繞下一代芯片開發的日美共同研發路線圖，利用生物技術的創新性醫藥、人工智能（AI）)及量子技術等具體化合作。據日媒劇透的該聲明的部分內容顯示：聲明將強調——一是為了經濟繁榮和強化經濟安保、維持和強化地區經濟秩序，日美合作的深化不可缺少，“印太經濟框架(IPEF)”等姜維重要平臺。二是要強化芯片的供應鏈，厘清并制定關于下一代芯片的技術開發和人才培養的工程表。在確保芯片來源多元化成為經濟安保焦點的情況下，美國政府計劃在近期設立“國立芯片技術中心”，并與日本政府去年設立的“技術研究組合最尖端芯片技術中心”進行合作。三是此舉也是為了強化針對中國的經濟安全保障的一環。隨著中國推進對生物、人工智能、量子等領域的巨額投資，日美需要在生物領域強化制藥相關的供給網，將合作促進新藥相關新興企業之間的合作。針對在基礎設施開發等方面，中國強化與太平洋島嶼國家的合作，日美也將推動對包括創業公司、新興企業在內的民間企業的合作。

       與此相關，日本最近兩則關于芯片領域的技術研發信息也引發諸多關注。一是日本佐賀大學研發的“金剛石芯片”成為世界輸出功率最大的芯片，并獲得“年度芯片獎”。據悉——佐賀大學的研究小組使用“金剛石芯片”實現了世界最高的輸出功率，獲得了由尖端技術相關的專業報紙評出的“年度芯片”獎項。眾所周知，芯片是控制電子設備輸出功率精密零件，雖然現在以硅材料為主流，但是作為性能更加優越下一代材料，金剛石備受矚目。而且，與硅制芯片相比，金剛石芯片可以控制5萬倍的輸出電力，今后活用的范圍將擴大到比現在正在普及的“5G”更加先進的“6G”以及宇宙空間。佐賀大學的該研究小組表示——“將以3~4年后實現量產化為目標進一步加速開發”。二是設在日本群馬縣高崎市的瑞薩電子將批量生產“SiC功率芯片”。據悉，隨著電動汽車(EV)市場的迅速擴大，對擁有出色的節能性能的SiC系列功率芯片的需求逐年增加，引發了企業和市場的供給等需求。瑞薩電子決定對2014年10月關閉的甲府工廠追加900億日元規模的設備投資，預定在2024年上半年重新啟動生產，并在2025年量產EV中常見的硅(Si)制絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)等功率芯片。