東北大學2016年10月12日宣布與東京大學等合作，制作出了使用三維納米多孔石墨烯的電雙層晶體管。石墨烯是由單層碳原子組成的二維片層，具有優秀的晶體管性能，但達到實用水平需要疊加幾千張。此次通過使用多孔質三維石墨烯制作晶體管，電容量最多達到了二維石墨烯晶體管的1000倍。
　　為了最大限度利用三維納米多孔石墨烯的表面積，研究人員以不破壞納米多孔質結構為前提，制作經過超臨界CO2干燥的納米多孔石墨烯，作為了晶體管的傳導路徑（溝道）和作用（柵極）電極。然后使試樣全部浸滿由室溫下穩定的陽離子和陰離子組成的液體（離子液體），制作出了在作用電極與溝道之間外加電場，溝道的電子濃度就會發生變化的電雙層晶體管。
　　從三維納米多孔石墨烯晶體管的行為中，研究人員觀測到了利用狄拉克電子的場效應晶體管的特點，即電導率極小、傳導載流子從電子型向空穴型反轉的現象。這表明二維石墨烯片的特性得到了很好地保留。檢測到的靜電容量非常高，約是以往使用二維石墨烯片的平面結構元件的100～1000倍。這表明高度集成的石墨烯片可以作為一個整體，控制電子狀態。
　　而且，通過結合三維納米多孔質結構的特點進行理論推導，研究人員發現，在不同電子濃度狀態下測定的磁阻效應與霍爾電阻均由1條曲線表示。這表示“封閉在曲面上的傳導電子對于外加磁場的方向，具有許多不同的指向”，是三維納米多孔石墨烯所特有的行為。表明本次開發的晶體管的電子移動度遠遠高于所需要的性能，即200cm2/Vs，達到了5000～7500cm2/Vs。
　　本次研究證實，使用三維納米多孔石墨烯的晶體管通過利用納米多孔質結構，可以通過電場，控制高度集成的大面積二維原子層的電子密度。在今后，使用石墨烯和二硫化鉬、利用原子層的感光元件，以及高度集成的立體電路的實用化有望取得進展。與此同時，在使用石墨烯和其他原子層材料的“三維納米多孔質結構”領域，也有望誕生出新的材料。
　　本次研究得到了日本科學技術振興機構（JST）戰略性創造研究推進事業CREST“實現能源高效率的相界面科學”研究領域、日本文部科學省新學術領域研究“原子層科學”、日本世界頂級國際研究中心計劃（WPI）的支援。研究成果已刊登在德國科學雜志《Advanced Materials》的2016年10月11日網絡版上。（特約撰稿人：工藤宗介）